Residual photoconductivity effect in semi-insulator films ZnSexTe1-x

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMalushin, Nikolay V.
dc.contributor.authorSkobeeva, Valentyna M.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorDali, A. K,
dc.date.accessioned2018-06-01T14:36:23Z
dc.date.available2018-06-01T14:36:23Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractThe features of photoconductivity in semi-insulating layers ZnSe^Te,^ have been studied. The dependence of the photocurrent on applied voltage has been investigated. It is observed that the voltage under which the space-charge-limited (SCL) current flows the impurity maximum with Av = 1,4 eV appears in the spectra of photocurrent. The residual photoconductivity is observed under illumination of impurity absorption region. And the ratio of photocurrent to the dark one reaches of value 105. The observed phenomena are explained by space inhomogeneity of the layers.uk
dc.identifierUDC 621.315.292
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16452
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 10.
dc.subjectphotosensitivityuk
dc.subjectphotoelectricuk
dc.subjectequalizeduk
dc.subjectinhomogenityuk
dc.titleResidual photoconductivity effect in semi-insulator films ZnSexTe1-xuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
98-99.pdf
Розмір:
95.23 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics