Obtaining and optical properties of ZnS:Ti crystals
Вантажиться...
Дата
2013
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова
Анотація
ZnS:Ti single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.8 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the titanium concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:Ti single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified.
The diffusion profile of the Ті dopant is determined via measurement of the relative optical density of the crystals in the visible spectral region. The Ti diffusivities in the ZnS crystals at 1270-1370 K are calculated. The Ti diffusivity at 1270 K equals 10-10 cm2/s.
Исследованы монокристаллы ZnS:Ti, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4-3.8 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация титана в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnS:Ti в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси титана определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии титана в кристаллах ZnS при температурах 1270-1370 К. При 1270 К коэффициент диффузии титана составляет 10-10см2/с.
Методом дифузійного легування отримані монокристали ZnS:Ti. Досліджено спектри оптичної густини в області енергій 0.4-3.8 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначена концентрація титану в досліджуваних кристалах. Ідентифіковані оптичні переходи, що визначають спектр поглинання монокристалів ZnS:Ti в видимій та 14 області спектру. Дифузійний профіль домішки Ті визначався за вимірюваннями відносної оптичної густини кристалів у видимій області спектру. Вперше розраховано коефіцієнти дифузії титану в кристалах ZnS при температурах 1270-1370 К. При 1270 К коефіцієнт дифузії титану становить 10-10 см2/с.
Исследованы монокристаллы ZnS:Ti, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4-3.8 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация титана в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnS:Ti в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси титана определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии титана в кристаллах ZnS при температурах 1270-1370 К. При 1270 К коэффициент диффузии титана составляет 10-10см2/с.
Методом дифузійного легування отримані монокристали ZnS:Ti. Досліджено спектри оптичної густини в області енергій 0.4-3.8 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначена концентрація титану в досліджуваних кристалах. Ідентифіковані оптичні переходи, що визначають спектр поглинання монокристалів ZnS:Ti в видимій та 14 області спектру. Дифузійний профіль домішки Ті визначався за вимірюваннями відносної оптичної густини кристалів у видимій області спектру. Вперше розраховано коефіцієнти дифузії титану в кристалах ZnS при температурах 1270-1370 К. При 1270 К коефіцієнт дифузії титану становить 10-10 см2/с.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.
Ключові слова
zinc sulfide, diffusion doping, titanium impurity, optical density, diffusivity, сульфид цинка, диффузионное легирование, примесь титана, оптическая плотность, коэффициент диффузии, сульфід цинку, дифузійне легування, домішка титану, оптична густина, коефіцієнт дифузії
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics