CONDUCTIVITY MECHANISM IN THIN NANOCRYCTALLINE TIN OXIDE FILMS

Анотація
Structural properties of tin oxide nanocryastalline films have been investigated by means of atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffraction (XRD) methods. Surface morphology, roughness, crystalline size and lattice strain have been estimated. Current-voltage characteristics (I-V) have been measured at different temperatures. Temperature dependence of current has been studied. Activation energies have been evaluated and conductivity mechanism has been proposed. Структурные свойства нанокристаллических плёнок оксида олова были изучены при помощи методов атомной силовой микроскопии и дифракции рентгеновского излучения. Были определены морфология поверхности, величины ее шероховатости, размеров кристаллитов и механического напряжения кристаллической решетки. Вольт-амперные характеристики образцов были изучены при разных температурах. Температурная зависимость темнового тока была изучена. Энергии активации проводимости были определены. Структурні властивості нанокристалічних плівок оксиду олова було досліджено за допомогою методів атомної силової мікроскопії та дифракції рентгенівського випромінювання. Було визначено морфологія поверхні, величини її неоднорідност і, розмірів кристалітів та механічного напруження кристалічної гратки. Вольт-амперні характеристики зразків було досл іджено при різних температурах. Температурну залежність темнового струму було побудовано. Енергії активації провідност і були визначені.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
Ключові слова
tin oxide, nanocrystalline films, I-V characterization, XRD, AFM, оксид олова, вольт-амперные характеристики, атомная силовая микроскопия и дифракция рентгеновского излучения, оксид олова, вольт-амперні характеристики, атомна силова мікроскопія та дифракція рентгенівського випромінювання
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics
DOI
ORCID:
УДК
Зібрання