Исследование релаксации заряда в тонких пленках сульфида свинца с различным потенциальным рельефом зон
Вантажиться...
Дата
2003
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
Предложена методика изучения влияния потенциальных барьеров для носителей тока на границе раздела кристаллит — окисная фаза на электрические свойства пленок сульфида свинца, в соответствии с которой, измеряя кинетические зависимости постоянной времени релаксации темнового и фототока от прикладываемого напряжения, можно судить не только о поведении омической проводимости, но и о емкостной и индуктивной проводимостях пленки, обусловленных релаксацией заряда на межкристаллитном барьере. Рассчитана эквивалентная схема таких пленок, которая позволяет пояснить характер протекающих в них процессов релаксации заряда на межкристаллических прослойках и процессов туннелирования. Количественная оценка постоянной времени релаксации фототока позволяет рассчитать минимальное время, необходимое для достижения равновесного
значения тока, то есть минимальную длительность оптического сигнала в режиме поэлементного
опроса датчиков фотоприемного модуля.
Опис
Ключові слова
релаксация заряда, окисная фаза
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics