Репозитарій ОНУ імені І.І.Мечникова

Перегляд за Автор "Nitsuk, Yurii A."

Зараз показуємо 1 - 19 з 19

Diffusion of transition-metal ions (Fe, Ni) in zinc chalkogenides
(Астропринт, 2010) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Yatsun, V. V.; Purtov, Yu. N.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Яцун, В. В.; Пуртов, Юрий Николаевич; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Яцун, В. В.; Пуртов, Юрій Миколайович
The ZnS, ZnSe, ZnTe single crystals doped with iron and nickel are investigated. The diffusion doping is carried out from metallic nickel and powderlike iron in helium and argon atmosphere. The optical density spectra are investigated in the wavelength range 2–3.8 eV. From the value of the absorption edge shift, the nickel and iron concentrations in crystals under investigation is determined. It is shown that nickel and iron doping results in appearance of absorption lines in the visible spectral region. The nickel and iron impurity diffusion profile is determined by measuring the relative optical density of crystals in the visible spectral region. The diffusivities of nickel and iron in ZnS, ZnSe, ZnTe crystals are calculated at temperatures of 1020–1320 K. Исследованы монокристаллы ZnS, ZnSe, ZnTe, легированные железом и никелем. Диффузионное легирование осуществлялась из металлического никеля и порошкообразного железа в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 2–3.8 эВ. По величине смещения края поглощения определены концентрации никеля и железа в исследуемых кристаллах. Показано, что легирование никелем и железом приводит к появлению полос поглощения видимой области спектра. Диффузионный профиль примеси никеля и железа определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии никеля и железа в кристаллах ZnS, ZnSe, ZnTe при температурах 1020 - 132К. Досліджено монокристали ZnS, ZnSe, ZnTe, леговані залізом та нікелем. Дифузійне легування виконувалось з металевого нікелю та порошкоподібного заліза в атмосфері гелію та аргону. Досліджено спектри оптичної густини в області енергій 2–3.8 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначені концентрації нікелю і заліза в досліджуваних кристалах. Показано, що легування нікелем і залізом призводить до виникнення смуг поглинання в видимій області спектру. Дифузійний профіль домішок нікелю і заліза визначено шляхом вимірювання відносної оптичної густини кристалів в видимій області спектру. Розраховані коефіцієнти дифузії нікелю і заліза в кристалах ZnS, ZnSe, ZnTe при температурах 1020–1320К.
Electrical conductivity Of ZnSe : In Crystals, Obtained by free growth
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Pavlov, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
The electrical conductivity of Z n S e :In crystals doped by indium du rin g growth and crystals subjected to diffusion doping by indium from a melt are investigated. It is shown th a t electrical conductivity of Z n S e :In crystals doped by indium during growth is controlled by donors In J,, In f 1- and com p en sa tin g acceptors — zinc vacancies, cen ters (VZnInZn). In crystals subjected to diffusion by indium from melt, electrical conductivity is controlled by shallow donors The an n ea lin g of Z n S e :In crystal in zinc melt gives the decrease in co ncentra tion of com p en sa tin g acceptors and increase of crystal conductivity.
Interrelation between pyroelectric properties and residual polarization in polyvinylide fluoride intended for making pyroelectric sensors
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2025) Fedosov, S. N.; Sergeeva, A. E.; von Seggern, H.; Nitsuk, Yurii A.; Федосов, С. Н.; Сергєєва, О. Є.; фон Зеггерн, Х.; Ніцук, Юрій Андрійович
Pyroelectricity and fractional thermally stimulated depolarization currents (TSDC) were experimentally studied in polyvinylidene fluoride (PVDF) films poled by application of high DC field at room temperature. The obtained polarization is found to be less thermally stable than the correlated compensating charge. It is demonstrated by investigation of the charge balance and the pyroelectric coefficient measured during cooling in a fractional experiment, that trapped polarization-compensating charge is responsible for a partial realignment of polarization during cooling. The polarization and the volume charges in PVDF samples poled by application of a high field at room temperature are not thermally frozen. All processes of their buildup and relaxation are interrelated. If there is any polarization, it is necessarily compensated by trapped charges. The intention of the paper is to investigate in more depth the nature of the residual polarization in PVDF by comparing TSDC during successive heating of the poled samples to higher and higher temperatures (fractional TSDC) with pyroelectric currents obtained during the subsequent cooling the sample in each thermal cycle. It has been found that the poled PVDF samples should be conditioned by heating to 80 oC and cooling down for obtaining the stable pyrocoefficient.
Luminescence of Zinc Selenide Single Crystals doped with indium
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Purtov, Yu. N.; Ignatenko, S. A.; Korostelin, Yu. V.; Kozlovsky, V. I.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
The spectra of edge and long wavelength photoluminescence for single crystals ZnSe:In, obtained by free growth procedure are investigated. Spectrum of edge emission for low doped crystals ([In] = 1016 ст~ъ) is characterised by lines of emission of free excitons and donor-acceptor pairs (DAP). At concentrations of indium higher 1017 ctrr3, the emission of excitons, bounded on neutral zinc vacancies, appears. Spectrum of a long wavelength luminescence evidences the presence in the crystals, charged vacancies of zinc (V7 ., Vz2„) included in composition of DAP.
Obtaining and optical properties of ZnS:Ti crystals
(Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2013) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ніцук, Юрій Андрійович; Насібов, А. С.; Шапкін, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович
ZnS:Ti single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.8 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the titanium concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:Ti single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified. The diffusion profile of the Ті dopant is determined via measurement of the relative optical density of the crystals in the visible spectral region. The Ti diffusivities in the ZnS crystals at 1270-1370 K are calculated. The Ti diffusivity at 1270 K equals 10-10 cm2/s.
Obtaining and optical properties of ZnSe:Co films
(Астропринт, 2008) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Пуртов, Юрій Миколайович; Насібов, О. С.; Шапкін, П. В.
ZnSe:Co films were obtained by vacuum deposition. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that in ZnSe:Co films, as compared to ZnSe films, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnSe:Co films and crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnSe:Co films absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Пленки ZnSe:Co были получены путем термического напыления в вакууме. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что в пленках ZnSe:Co, по сравнению с пленками ZnSe, край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения пленок и кристаллов ZnSe:Co. Исследуемые линии поглощения в пленках ZnSe:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Плівки ZnSe:Co були отримані шляхом термічного напилення в вакуумі. Досліджені спектри оптичної густини в області 4- 0.38еВ. Встановлено, що в плівках ZnSe:Co, в порівнянні з плівками ZnSe, край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання плівок і кристалів ZnSe:Co. Досліджені лінії поглинання плівок ZnSе:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T (P), 4T (F) и 4T (F)
Optical absorption and diffusion of cobalt in ZnS single crystals
(Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2012) Nitsuk, Yurii A.; Vaksman, Yurii F.; Purtov, Yu. N.; Ницук, Юрий Андреевич; Ваксман, Юрий Федорович; Пуртов, Юрій Миколайович; Ніцук, Юрій Андрійович; Ваксман, Юрій Федорович
ZnS:Co single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.8 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the cobalt concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:Co single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified. The diffusion profile of the Co dopant is determined via measurement of the relative optical density of the crystals in the visible spectral region. The Co diffusivities in the ZnS crystals at 1170-1270 K are calculated. The Co diffusivity at 1270 K equals 10-9 cm2/s
Optical properties of of ZnS:Fe nanochrystalls obtained by colloidal method
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2019) Nitsuk, Yurii A.; Vaksman, Yurii F.; Tepliakova, Iryna V.; Smyntyna, Valentyn A.; Korenkova, Ganna V.; Brytavskyi, Yevhen V.; Ніцук, Юрій Андрійович; Ваксман, Юрій Федорович; Теплякова, Ірина Вікторівна; Сминтина, Валентин Андрійович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Бритавський, Євген Вікторович; Ницук, Юрий Андреевич; Ваксман, Юрий Федорович; Теплякова, Ирина Викторовна; Смынтына, Валентин Андреевич; Коренкова, Анна Валерьевна; Бритавский, Евгений Викторович
Abstract – iron doped zinc sulfide nanocrystals were obtained by colloidal synthesis using gelatin, lactose or polyvinyl alcohol as a stabilizing matrix. The structure of the nanocrystals was determined using X-ray diffraction (XRD). The influence of the concentration effect on the size and properties of ZnS nanocrystals, the optical absorption spectra and photoluminescence spectra were studied, and the types of optical transitions in these nanocrystals were determined.
Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt
(Астропринт, 2007) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Pavlov, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Павлов, В. В.; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Павлов, В. В.; Пуртов, Юрій Миколайович; Насібов, А. С.; Шапкін, П. В.
ZnS:Co single crystals were obtained by diffusion-related doping with cobalt. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that at cobalt doping of crystals, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnS:Co and ZnTe:Co crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnS:Co absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Монокристаллы ZnS:Cо получены методом диффузионного легирования кобальтом. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что при легировании кристаллов кобальтом край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения кристаллов ZnS:Co и ZnTe:Co. Исследуемые линии поглощения ZnS:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Монокристали ZnS:Cо отримані методом дифузійного легування кобальтом. Досліджено спектри оптичної густини в області 4-0.38еВ. Встановлено, що при легуванні кристалів кобальтом край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання кристалів ZnS:Co і ZnTe:Co. Досліджені лінії поглинання ZnS:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F).
Optical properties of ZnSe:Mn crystals
(Астропринт, 2009) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Yatsun, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Яцун, В. В.; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Яцун, В. В.; Пуртов, Юрій Миколайович; Насибов, О. С.; Шапкін, П. В.; Ніцук, Юрій Андрійович
ZnSe single crystals with diffusion doping of Mn have been investigated. Absorption, luminescence and photoconductivity of ZnSe: Mn crystals have been studied and analyzed in the visible region of the spectrum. Concentration of Mn impurity was estimated from absorption edge. The electron transition scheme in ZnSe:Mn was proposed. Исследованы монокристаллы ZnSe:Mn, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности, фотолюминесценции и фотопроводимости в видимой области. По величине смещения края поглощения определена концентрация марганца в исследуемых кристаллах. Построена схема оптических переходов в кристаллах ZnSe:Mn. Досліджено монокристали ZnSe:Mn, отримані методом дифузійного легування. Проведені дослідження спектрів оптично ї густини, фотолюмінесценції та фотопровідності в видимій області. По зміщенню краю поглинання визначено концентрац ії марганцю в досліджуваних кристалах. Побудована схема оптичних переходів в кристалах ZnSe:Mn.
Photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectral region
(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2015) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
The photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectra region are studied. The scheme of optical transitions within Cr2+ impurity centers is established. It is shown that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnSe:Cr crystals is controlled by optical transitions of electrons from the 5T2(D) ground state to the higher levels of excited states of Cr2+ ions, with subsequent thermal activation of the electrons to the conduction band. Efficient excitation of intracenter luminescence of ZnSe:Cr crystals is attained with light corresponding to the region of intrinsic absorption in Cr2+ ions.
Photoluminescence and photoconductivity of ZnS:Ti single crystals
(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2014) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
The photoconductivity and photoluminescence of ZnS:Ti crystals in the visible spectra region are studied. The scheme of optical transitions within Ti2+ impurity centers is established. It is shown that the high-temperature photoconductivity of ZnS:Ti crystals is controlled by optical transitions of elec¬trons from the 3A2(F) ground state to the higher levels of excited states of Ti2+ ions, with subsequent thermal activation of the electrons to the conduction band. Efficient excitation of intracenter lumines¬cence of ZnS:Ti crystals is attained with light corresponding to the region of intrinsic absorption in Ti2+ ions.
Photoluminescence of CdSe:Ni nanoparticles obtained by chemical method
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Nitsuk, Yurii A.; Leonenko, A. S.; Vaksman, Yurii F.; Korenkova, Ganna V.; Smyntyna, Valentyn A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Ніцук, Юрій Андрійович; Леоненко, А. С.; Ваксман, Юрий Федорович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Сминтина, Валентин Андрійович; Бритавський, Євген Вікторович; Бритавский, Евгений Викторович; Смынтына, Валентин Андреевич; Коренкова, Анна Валерьевна; Ницук, Юрий Андреевич; Леоненко, А. С.; Ваксман, Юрій Федорович
Cadmium selenide nanocrystals doped with nickel were prepared in water phase chemistry technique with gelatin acting as capping agent. Structures were characterized using Xray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), visible absorption and photoluminescence spectroscopies. Influence of component concentrations and technological parameters on nanocrystals average size and properties was studied.
Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Korenkova, Ganna V.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Коренкова, Анна Валентиновна
The photoconductivity and photoluminescence spectra of ZnTe:V crystals in the visible spectral region are studied. It is established that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnTe:V crystals is controlled by the optical transitions of electrons from the ground state 4T1(F) to high-energy excited states, with subsequent thermally activated transitions of electrons to the conduction band. A photoconductivity band associated with the photoionization of V impurities is revealed. The intracenter luminescence of ZnTe:V crystals is efficiently excited with light corresponding to the intrinsic absorption region of V2+ ion
Synthesis and luminescence properties of ZnSe:Al nanoparticles
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Nitsuk, Yurii A.; Vaksman, Yurii F.; Tepliakova, I. V.; Rimashevskiy, A. A.; Ніцук, Юрій Андрійович; Ваксман, Юрій Федорович; Теплякова, І. В.; Рімашевський, О. А.; Ницук, Юрий Андреевич; Ваксман, Юрий Федорович; Теплякова, И. В.; Римашевский, А. А.
Colloidal nanocrystals of ZnSe:Al were synthesized in organic polymer matrices. The optical absorption and long-wavelength luminescence were studied, the average sizes of nanoparticles were determined, the efficiency of the transition from bulk crystals to nanocrystals was shown, and the types of optical transitions were determined.
Дослідження оптичних та фотоелектричних властивостей халькогенідів цинку, легованих Ті та V
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2014) Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.
останні роки значно зріс інтерес до дослідження кристалів групи А2В6, легованих перехідними елементами (Ті, V, Cr, Мп, Fe, Co, Ni). Кристали халькогенідів цинку, що містять домішки Сг та Fe, використовуються в якості активних середовищ і пасивних затворів для лазерів ІЧ-діапазону. Існування декількох зарядових станів Ті, V, Ni в забороненій зоні кристалів групи А2Вб, і можливості перемикання між ними, дає можливість створення опто-оптичних перемикачів [І]. Це визначає актуальність досліджень оптичних та фотоелектричних властивостей кристалів ZnS, ZnSe, ZnTe, легованих Ті та V.
Колоїдні нанокристали ZnS:Cu для зелених флуоресцентних маркерів
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2019) Ніцук, Юрій Андрійович; Лепіх, Ярослав Ілліч; Теплякова, Ірина Вікторівна; Ваксман, Юрій Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Лепих, Ярослав Ильич; Теплякова, Ирина Викторовна; Ваксман, Юрий Федорович; Nitsuk, Yurii A.; Lepikh, Yaroslav I.; Tepliakova, Iryna V.; Vaksman, Yurii F.
Колоїдним методом отримані нанокристали ZnS: Cu. Легування домішкою Cu здійснювалося в процесі синтезу нанокристалів. Досліджено спектри оптичного поглинання і фотолюмінесценції. За величиною зміщення краю фундаментального поглинання визначено середні розміри нанокристалітів ~3 нм. Показано, що зелена люмінесценція нанокристалів ZnS:Cu ідентична люмінесценції об'ємних кристалів і обумовлена оптичними переходами на донорно-акцепторних парах.
Люмінесценція колоїдних нанокристалів CdSe:Cu
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2022) Ніцук, Юрій Андрійович; Карауш, Олександра Вікторівна; Лепіх, Ярослав Ілліч; Ваксман, Юрій Федорович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Nitsuk, Yurii A.; Lepikh, Yaroslav I.; Vaksman, Yurii F.; Korenkova, Ganna V.
Досліджено люмінесценцію колоїдних нанокристалів CdSe:Cu. Встановлено, що легування атомами міді не призводить до помітної зміни розміру нанокристалітів. Зсув ширини забороненої зони при легуванні можна пояснити міждомішковою кулонівською взаємодією між частинками. Показано, що легування міддю призводить до гасіння екситонної люмінесценції CdSe. Встановлено, що довгохвильова люмінесценція CdSe:Cu зумовлена переходами всередині донорно- акцепторних пар, до складу яких входять власні та домішкові дефекти Cu.
Природа фотолюмінесценції колоїдних нанокристалів оксиду цинку
(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2023) Ніцук, Юрій Андрійович; Гусейнова, С. Ф.; Мамойленко, Євгенія Олексіївна; Лепіх, Ярослав Ілліч; Ваксман, Юрій Федорович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Nitsuk, Yurii A.; Huseynova, S. F.; Mamoilenko, Ye. O.; Vaksman, Yurii F.; Lepikh, Yaroslav I.; Korenkova, Ganna V.
Проведено дослідження оптичного поглинання та фотолюмінесценції люмінесценцію колоїдних нанокристалів оксиду цинку. Дослідження спектрів оптичного поглинання показало, що основними факторами, що визначають розмір нанокристалітів є концентрація прекурсорів та наявність стабілізаторів росту. Показано, що окрім добре дослідженої крайової та зеленої люмінесценції для нанокристалів оксиду цинку є притаманним ефективне випромінювання в синьо-блакитній та жовто-помаранчевій областях спектру. Встановлено, що випромінювання в видимій області спектру визначаються випромінювальними переходами в межах донорно-акцепторних пар, утворених власними дефектами.

Перегляд за Автор "Nitsuk, Yurii A."

Результатів на сторінці

Налаштування сортування