Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals
dc.contributor.author | Vaksman, Yurii F. | |
dc.contributor.author | Nitsuk, Yurii A. | |
dc.contributor.author | Korenkova, Ganna V. | |
dc.contributor.author | Ваксман, Юрій Федорович | |
dc.contributor.author | Ніцук, Юрій Андрійович | |
dc.contributor.author | Коренкова, Ганна Валентинівна | |
dc.contributor.author | Ваксман, Юрий Федорович | |
dc.contributor.author | Ницук, Юрий Андреевич | |
dc.contributor.author | Коренкова, Анна Валентиновна | |
dc.date.accessioned | 2016-12-12T09:50:58Z | |
dc.date.available | 2016-12-12T09:50:58Z | |
dc.date.issued | 2016 | |
dc.description.abstract | The photoconductivity and photoluminescence spectra of ZnTe:V crystals in the visible spectral region are studied. It is established that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnTe:V crystals is controlled by the optical transitions of electrons from the ground state 4T1(F) to high-energy excited states, with subsequent thermally activated transitions of electrons to the conduction band. A photoconductivity band associated with the photoionization of V impurities is revealed. The intracenter luminescence of ZnTe:V crystals is efficiently excited with light corresponding to the intrinsic absorption region of V2+ ion | uk |
dc.description.abstract | Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектру. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+. | uk |
dc.description.abstract | Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnTe:V в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnTe:V обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 4T1(F) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона V2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnTe:V осуществляется светом из области примесного поглощения ионов V2+. | uk |
dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelectronics | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/9113 | |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;Вип. 25. | |
dc.subject | zinc telluride | uk |
dc.subject | diffusion doping | uk |
dc.subject | vanadium impurity | uk |
dc.subject | photoconductivity | uk |
dc.subject | photoluminescence | uk |
dc.subject | телурид цинку | uk |
dc.subject | дифузійне легування | uk |
dc.subject | домішка ванадію | uk |
dc.subject | фотопровідність | uk |
dc.subject | фотолюмінесценція | uk |
dc.subject | теллурид цинка | uk |
dc.subject | диффузионное легирование | uk |
dc.subject | примесь ванадия | uk |
dc.subject | фотопроводимость | uk |
dc.subject | фотолюминесценция | uk |
dc.title | Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals | uk |
dc.title.alternative | Дослідження домішкової фотопровідності та люмінесценції в кристалах ZnTe:V | uk |
dc.title.alternative | Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnTe:V | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: