Влияние термических и радиационных воздействий на свойства пленок тиогаллата кадмия
Вантажиться...
Дата
1996
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследовано влияние термических отжигов и гамма облучения на электрофизические, фотоэлектрические, люминесцентные и структурные свойства поликристаллических пленок тиогаллата кадмия. Определено энергетическое положение и рекомбинационные параметры очувствляющих центров. Установлено, что энергии образования очувствляющих центров и основных донорных уровней равны, соответственно, 0,8 ± 0,1 и 1,4 ±0,1 эВ. Показано, что характер происходящих изменений и устойчивость пленок к воздействию облучения зависят от их исходного состояния. Анализируются причины изменений в спектральных распределениях фотопроводимости и ее оптического гашения при облучении. Обосновываются модели дефектов, ответственных за эти явления. Обнаружены и исследованы две полосы фотолюминесценции с максимумами излучения при 3,348 эВ и 3,307 эВ. Установлено, что соответствующими центрами рекомбинации являются донорно-акцепторные (ДА) пары, которые возникают как при термоотжиге, так и при гамма облучении. Исследована связь между исходным состоянием пленок тиогаллата кадмия и характером влияния гамма облучения на излучательную рекомбинацию ДА пар. Показано, что компонентами ДА пар являются доноры Gaj и акцепторы S., разделенные пространственно на расстояние За и 4а, где а — постоянная решетки. Определено энергетическое положение донора Ел- Ес— 0,3 эВ и акцептора Еа — Ev + 0,29 эВ.
Опис
Ключові слова
тиогаллат кадмия, термическое воздействие, радиоционное воздействие, термический отжиг, гамма облучение
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics