Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия
dc.contributor.author | Лепих, Ярослав Ильич | |
dc.contributor.author | Мокрицкий, В. А. | |
dc.contributor.author | Ленков, С. В. | |
dc.contributor.author | Банзак, О. В. | |
dc.contributor.author | Гунченко, Ю. А. | |
dc.contributor.author | Лепіх, Ярослав Ілліч | |
dc.contributor.author | Мокрицький, В. А. | |
dc.contributor.author | Лєнков, С. В. | |
dc.contributor.author | Гунченко, Ю. О. | |
dc.contributor.author | Lepikh, Yaroslav I. | |
dc.contributor.author | Mokritsky, V. A. | |
dc.contributor.author | Lenkov, S. V. | |
dc.contributor.author | Banzak, O. V. | |
dc.contributor.author | Gunchenko, Yu. A. | |
dc.date.accessioned | 2011-10-13T08:50:41Z | |
dc.date.available | 2011-10-13T08:50:41Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.description | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - вип.1(7)№1,2010 | uk |
dc.description.abstract | В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К. | uk |
dc.description.abstract | У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К. | uk |
dc.description.abstract | In work changes of electric parameters of layers received with use scale-quantums during epetaseya are found out. The explanation of received results by formation of complexes primary radiating defects with atoms of impurity is given this assumption spectra of photoluminescence of layers of arsenide of the gallium, received with reference temperature epetaseya 1023 K. | uk |
dc.identifier.citation | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2127 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Астрапринт | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;вип.1(7) № 1 С.11-12 | |
dc.subject | арсенид галлия | uk |
dc.subject | гамма-кванты | uk |
dc.subject | электроны | uk |
dc.subject | радиационные дефекты | uk |
dc.subject | спектры | uk |
dc.subject | фотолюминесценции | uk |
dc.subject | эпитаксия | uk |
dc.subject | арсенід галію | uk |
dc.subject | епітаксія | uk |
dc.subject | гамма-кванти | uk |
dc.subject | електрони | uk |
dc.subject | радіаційні дефекти | uk |
dc.subject | спектри фотолюмінесценції | uk |
dc.subject | arsenide of gallium | uk |
dc.subject | scale-quantums | uk |
dc.subject | electrons | uk |
dc.subject | radiating defects | uk |
dc.subject | spectra of photoluminescence | uk |
dc.title | Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия | uk |
dc.title.alternative | Радіаційна модифікація спектрів фотолюмінесценції арсеніду галлія | uk |
dc.title.alternative | RADIATING UPDATING OF SPECTRA PHOTOLUMINESCENCE ARSENIDE OF GALLIUM | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- vol_1(7)_1_2010_11-12.pdf
- Розмір:
- 39.41 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.82 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: