Влияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович
dc.contributor.authorЕгоров, В. В.
dc.contributor.authorКанищева, Н. А.
dc.contributor.authorКозел, В. В.
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович
dc.date.accessioned2018-05-31T11:38:25Z
dc.date.available2018-05-31T11:38:25Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИсследовано влияние температуры и радиационного облучения на абсолютную чувствительность, эффективность преобразования и разрешающую способность двухколлекторных магнитотранзисторов. Показано, что влияние температуры на разрешающую способность обусловлено, главным образом, ее влиянием на величину остаточного сигнала, основными причинами возникновения которого являются геометрическая асимметрия и неоднородность свойств материала.uk
dc.identifierУДК 621.382.3
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16396
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 9.
dc.subjectддвухколлекторный магнитотранзистороuk
dc.subjectгеометрическая асимметрияuk
dc.subjectмежколлекторное расстояниеuk
dc.subjectэмиттерuk
dc.titleВлияние внешних факторов на параметры магнитотранзисторных структурuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
71-76.pdf
Розмір:
340.47 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics