Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs.

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЖуковська, Олександра Вадимівна
dc.date.accessioned2020-09-23T08:07:28Z
dc.date.available2020-09-23T08:07:28Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractР-n переходи на основі GaAs є височутливими сенсорами парів аміаку. За допомогою фотохімічного поверхневого легування сіркою можна підняти газову чутливість таких структур. У даний час відсутні дослідження змін чутливості та морфології поверхні таких структур при різних умовах сульфідної обробки.uk_UA
dc.identifier.citationЖуковська, О. В. Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs : дипломна робота бакалавра / О. В. Жуковська. – Одеса, 2020. – 33 с.uk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/28749
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk_UA
dc.subject104 фізика та астрономіяuk_UA
dc.subjectлегуванняuk_UA
dc.subjectсіркаuk_UA
dc.subjectрежимиuk_UA
dc.titleВплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs.uk_UA
dc.title.alternativeEffect of photochemical surface sulphur doping regimes on n-GaAs surface morphology.uk_UA
dc.typeDiplomasuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
104_Zhukovska Oleksandra Vadymivna_1.pdf
Розмір:
283.65 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Бакалаври МФІТ