Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs.
Альтернативна назва
Effect of photochemical surface sulphur doping regimes on n-GaAs surface morphology.
Вантажиться...
Дата
2020
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Р-n переходи на основі GaAs є височутливими сенсорами парів аміаку. За допомогою фотохімічного поверхневого легування сіркою можна підняти газову чутливість таких структур. У даний час відсутні дослідження змін чутливості та морфології поверхні таких структур при різних умовах сульфідної обробки.
Опис
Ключові слова
104 фізика та астрономія, легування, сірка, режими
Бібліографічний опис
Жуковська, О. В. Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs : дипломна робота бакалавра / О. В. Жуковська. – Одеса, 2020. – 33 с.