Вплив ядерних випромінювань на властивості кремнієвих транзисторних структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМак, В. Т.
dc.contributor.authorПастернак, В. О.
dc.contributor.authorПронічкін, В. Д.
dc.date.accessioned2018-02-26T13:20:04Z
dc.date.available2018-02-26T13:20:04Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractВивчено вплив гамма опромінення на властивості Si транзисторних структур. Встановлено можливість керування коефіцієнтом передачі струму в cxeмi із спільним eемітером, надійністю, а також відновленням бракованих по одному або двох параметрах транзисторів за допомогою гамма-випромінювання. Проаналізовано фізичні процеси, які відповідають за модифікацію параметрів транзисторів.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние гамма облучения на свойства Si транзисторных структур. Обнаружена возможность управления коэффициентом передачи тока в схеме с общим эмиттером, надежностью, а также восстановлением бракованных по одному либо двум параметрам транзисторов с помощью гамма облучения. Проанализированы физические процессы, ответственные за модификацию параметров транзисторов.uk
dc.description.abstractThe influence of gamma irradiation on the properties of silicon transistor structures was investigated. Was ascertained the possibility to change the coefficient of strengthening of current in the scheme with a common emitter, to manage reliability and also to recover defected with one or two parameter transistors with a help of gamma irradiation. Physical processes, which correspond to modification of parameters of transistors, have been analyzed.uk
dc.identifier.citationВісник Одеського національного університету = Odesa National University Heralduk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12931
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseriesФізико-математичні науки;Т. 6, вип. 3.
dc.subjectгамма опроміненняuk
dc.subjectSi транзисторні структуриuk
dc.subjectгамма облучениеuk
dc.subjectSi транзисторные структурыuk
dc.subjectgamma irradiationuk
dc.subjectsilicon transistor structuresuk
dc.titleВплив ядерних випромінювань на властивості кремнієвих транзисторних структурuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
163-169.pdf
Розмір:
391.45 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Дослiдження в математицi i механiцi