The study of homogeneous and heterogeneous sensitized crystals Of cadmium sulfide. Part V. Inhomogeneous alloying

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKulikov, S. S.
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorZatovska, Nataliia P.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorКуликов, С. С.
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторович
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorЗатовська, Наталія Петрівна
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.date.accessioned2022-11-13T15:19:19Z
dc.date.available2022-11-13T15:19:19Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractThe technology of CdS semiconductor crystals processing in the corona discharge is developed. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.uk_UA
dc.description.abstractРазработана технология обработки кристаллов полупроводников CdS в коронном разряде. Установлено, что в результате такого воздействия образцы приобретают перемен- ную спектральную чувствительность. Наблюдаемое явление объясняется появлением седла потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создать новый тип устройства.
dc.description.abstractРозроблено технологію обробки кристалів напівпровідників CdS у коронному розряді. Встановлено, що в результаті такого впливу зразки набувають змінної спектральної чутли- вості.Спостережуване явище пояснюється появою сідла потенційного бар'єру в приповерхневій області елемента, незвичайні властивості якого можуть створити новий тип пристрою.
dc.identifierUDC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronics
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/34199
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk_UA
dc.relation.ispartofseries№30
dc.subjectinhomogeneous alloyinguk_UA
dc.subjectcorona dischargeuk_UA
dc.subjectbarrier structureuk_UA
dc.subjectнеоднородное легированиеuk_UA
dc.subjectкоронный разрядuk_UA
dc.subjectструктура барьераuk_UA
dc.subjectнеоднорідне легуванняuk_UA
dc.subjectкороний разрядuk_UA
dc.subjectструктура бар’єраuk_UA
dc.titleThe study of homogeneous and heterogeneous sensitized crystals Of cadmium sulfide. Part V. Inhomogeneous alloyinguk_UA
dc.title.alternativeИсследование однородных и гетерогенных cенсибилизированных кристаллов сульфида кадмия. Часть V. Неоднородное легированиеuk_UA
dc.title.alternativeДослідження однорідних і гетерогенних сенсибілізованих кристалів сульфіду кадмію. Частина V. Неоднорідне легуванняuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
35-45.pdf
Розмір:
307.92 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics