Электрические процессы в полупроводниковых слоях селенида кадмия, обусловленные структурными превращениями. Возможные приложения

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГриневич, Виктор Сергеевич
dc.date.accessioned2018-05-30T12:32:17Z
dc.date.available2018-05-30T12:32:17Z
dc.date.issued1996
dc.description.abstractАнализируются физические условия функционирования чувствительного элемента для регистрации упругих напряжений в микрообъеме микроэлектронной системы. В качестве чувствительного элемента используется полупроводниковая поликристаллическая пленка, содержащая кристаллиты двух структурных модификаций CdSe(a + Р). На границах раздела кристаллитов упомянутых фаз аир возникают значительные механические напряжения. Результаты этих процессов могут быть зарегистрированы электрически в виде резкого изменения темнового тока в контуре, содержащем чувствительный элемент.uk
dc.identifierУДК 621.315.292
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16335
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 6.
dc.subjectселенид кадмияuk
dc.subjectэлектрические процессыuk
dc.subjectполупроводниковые слои селенида кадмияuk
dc.titleЭлектрические процессы в полупроводниковых слоях селенида кадмия, обусловленные структурными превращениями. Возможные приложенияuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
74-76.pdf
Розмір:
146.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics