Роль примеси лития в формировании длинноволновой люминесценции теллурида цинка

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМалушин, Николай Васильевич
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorДали, Абдул Кадер
dc.date.accessioned2018-05-31T11:25:14Z
dc.date.available2018-05-31T11:25:14Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИсследовался механизм формирования собственных дефектов в пленках ZnTe. легированных литием. Показано, что образование акцепторных дефектов при введении лития — LiZn способствует разрушению центров самоактивированной люминесценции и образованию собственного дефекта — вакансии теллура, которая является глубоким донором. Излучательная рекомбинация, обуславливающая длинноволновую люминесценцию при Хиакс = 0,75 мкм, осуществляется по схеме: глубокий донор — мелкий акцептор.uk
dc.identifierУДК 539.37
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16394
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 9.
dc.subjectлитийuk
dc.subjectакцепторный дефектuk
dc.subjectлюминесценцияuk
dc.subjectвакансия теллураuk
dc.subjectрекомбинацияuk
dc.subjectакцепторuk
dc.titleРоль примеси лития в формировании длинноволновой люминесценции теллурида цинкаuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
68-70.pdf
Розмір:
173.35 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics