Исследование релаксации фототока в полупроводниковом устройстве

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorЗатовская, Наталия Петровна
dc.contributor.authorЗотов, В. В.
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.date.accessioned2018-09-08T09:07:11Z
dc.date.available2018-09-08T09:07:11Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractИсследуются особенности релаксации фототока в кристаллах сульфида кадмия с запорными контактами, являющихся основой полупроводникового устройства, которые связаны с пространственным перераспределением S- и /^-центров. Обнаруженные закономерности дают возможность создавать фотоэлектронные приборы, использующие рассмотренные процессы.uk
dc.identifierУДК 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18658
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 12
dc.subjectрелаксация фототокаuk
dc.subjectполупроводниковое устройствоuk
dc.titleИсследование релаксации фототока в полупроводниковом устройствеuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
132-135.pdf
Розмір:
243.99 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics