INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKurmashev, Shamil D.
dc.contributor.authorVikulin, Ivan M.
dc.contributor.authorNikiforov, S. N.
dc.contributor.authorКурмашев, Шаміль Джамашевич
dc.contributor.authorВікулін, Іван Михайлович
dc.contributor.authorНикифоров, С. Н.
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorНикифоров, С. Н.
dc.date.accessioned2010-09-10T07:41:13Z
dc.date.available2010-09-10T07:41:13Z
dc.date.issued2006
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.uk
dc.description.abstractThe characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/276
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 15. - Р. 63 - 64.
dc.titleINFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODESuk
dc.title.alternativeВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ З p-InSbuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ p-InSbuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_15_2006_63-64.pdf
Розмір:
98.24 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics