Effect of sulphur atoms on surface current in GaAs p-n junctions

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.en
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.en
dc.contributor.authorMaslieieva, Natalia V.en
dc.contributor.authorBogdan, O. V.en
dc.contributor.authorShugarova, V. V.en
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександровичuk
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександровичuk
dc.contributor.authorМаслєєва, Наталя Володимирівнаuk
dc.contributor.authorБогдан, О. В.uk
dc.contributor.authorШугарова, В. В.uk
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александровичru
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александровичru
dc.contributor.authorМаслеева, Наталья Владимировнаru
dc.contributor.authorБогдан, О. В.ru
dc.contributor.authorШугарова, В. В.ru
dc.date.accessioned2010-09-10T08:18:07Z
dc.date.available2010-09-10T08:18:07Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractSulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of sulphur atoms deposition. en
dc.description.abstractДосліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого і зворотного струмів, спектр фотоструму і чутливість p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість до парів аміаку. Всі ці явища пояснюються зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню атомів сірки.uk
dc.description.abstractИсследованы пассивация поверхности GaAs атомами серы и ее влияние на ВАХ прямого и обратного токов, спектр фототока и чувствительность p-n переходов на основе GaAs как газовых сенсоров. Пассивация уменьшает избыточный прямой ток и обратный ток в p-n переходах, повышает фоточувствительность в спектральной области сильного поглощения, существенно повышает чувствительность к парам аммиака. Все эти явления объясняются уменьшением плотности поверхностных состояний в результате нанесения на поверхность атомов серы.ru
dc.identifier.citationEffect of sulphur atoms on surface current in GaAs p-n junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, V. V. Shugarova // Photoelectronics. – 2008. – Iss. 17. – P. 36–39.en
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/281
dc.language.isoen
dc.publisherАстропринтuk
dc.titleEffect of sulphur atoms on surface current in GaAs p-n junctionsen
dc.title.alternativeВплив атомів сірки на поверхневий струм у p-n переходах на основі GaAsuk
dc.title.alternativeВлияние атомов серы на поверхностный ток в p-n переходах на основе GaAsru
dc.typeArticleen
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Fotoel_17_36-39.pdf
Розмір:
92.96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics