Акустостимульована “квазікавітація” вакансійних дефектів у напівпровідниках при їх високоенергетичному опроміненні

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч
dc.contributor.authorОліх, Я. М.
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.
dc.contributor.authorOlikh, Ya. M.
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич
dc.contributor.authorОлих, Я. М.
dc.date.accessioned2017-10-24T08:11:26Z
dc.date.available2017-10-24T08:11:26Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractСтаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ і при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.uk
dc.description.abstractThe article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation and at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed.uk
dc.description.abstractСтатья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/11136
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 14, № 2.
dc.subjectіонна імплантаціяuk
dc.subjectакустичні хвиліuk
dc.subject«квазікавітація»uk
dc.subjectнапівпровідникиuk
dc.subjectдефектно-домішкові структуриuk
dc.subjectionic implantationuk
dc.subjectacoustic wavesuk
dc.subject"quasi-cavitation"uk
dc.subjectsemiconductorsuk
dc.subjectdefective - impurity structuresuk
dc.subjectионная имплантацияuk
dc.subjectакустические волныuk
dc.subject«квазикавитация»uk
dc.subjectполупроводникиuk
dc.subjectдефектно-примесные структурыuk
dc.titleАкустостимульована “квазікавітація” вакансійних дефектів у напівпровідниках при їх високоенергетичному опроміненніuk
dc.title.alternativeAcoustostimulated "quasi-cavitation" of vacancy defects in semiconductors at their high-energetic irradiationuk
dc.title.alternativeАкустостимулировання “квазикавитация” вакансионных дефектів в полупроодниках при их високоэнергетическом облученииuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
46-54.pdf
Розмір:
526.09 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології