Адсорбційна чутливість мікропоруватого кремнію та можливість керування її величиною в процесі вимірювань
Вантажиться...
Файли
Дата
1999
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
В роботі представлені результати експериментальних досліджень електронних властивостей структур мікропоруватого кремнію та їх адсорбційної чутливості до полярних молекул аміаку при освітленні поверхні напівпровідника білим світлом різної інтенсивності. Показана можливість керування величиною адсорбційної чутливості матеріалу до полярного газу за рахунок зміни інтенсивності освітлення.
В работе представлены результаты экспериментальных исследований электронных свойств структур микропористого кремния и их адсорбционной чувствительности к полярным молекулам аммиака при освещении поверхности полупроводника светом различной интенсивности. Показана возможность управления величиной адсорбционной чувствительности материала к полярному газу за счет изменения интенсивности освещения.
The results of experimental study of electronic properties of microporous silicon structures and their adsorption sensitivity to polar molecules of ammonia under irradiating a surface of the semiconductor by light of various intensity arc submitted. The opportunity of management of quantity of adsorption sensitivity of a material to polar gas at the expense of change of light intensity is shown.
В работе представлены результаты экспериментальных исследований электронных свойств структур микропористого кремния и их адсорбционной чувствительности к полярным молекулам аммиака при освещении поверхности полупроводника светом различной интенсивности. Показана возможность управления величиной адсорбционной чувствительности материала к полярному газу за счет изменения интенсивности освещения.
The results of experimental study of electronic properties of microporous silicon structures and their adsorption sensitivity to polar molecules of ammonia under irradiating a surface of the semiconductor by light of various intensity arc submitted. The opportunity of management of quantity of adsorption sensitivity of a material to polar gas at the expense of change of light intensity is shown.
Опис
Ключові слова
мікропоруватий кремній, адсорбційна чутливість, молекулb аміаку, микропористый кремний, адсорбционная чувствительность, молекулы аммиака, microporous silicon, adsorption sensitivity, molecules of ammonia
Бібліографічний опис
Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Herald