Mo-si-фотоприемник с перестраиваемой спектральной чувствительностью
| dc.contributor.author | Курмашев, Шамиль Джамашевич | |
| dc.contributor.author | Шевчук, О. Б. | |
| dc.contributor.author | Шенкевич, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Могильницкий, А. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2018-05-31T09:36:52Z | |
| dc.date.available | 2018-05-31T09:36:52Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.description.abstract | Использование давления является одним из способов перестройки длинно-волновой границы и увеличения чувствительности фотоприемников на основе контакта металл—полупроводник. Изучалось влияние давления на выпрямляющий контакт Mo-Si с локальными уровнями в запрещенной зоне кремния. Структуры подвергались воздействию когерентного импульсного излучения с длиной волны Я. = 1.06 мкм и длительностью импульса 10 3 с. Относительная величина перестройки длинноволновой границы для давления 1.5-106 Па после воздействия когерентного излучения составляет ~ 50%. | uk |
| dc.identifier | УДК 621.315.592 | |
| dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelectronics | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16377 | |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
| dc.relation.ispartofseries | ;Вип. 9. | |
| dc.subject | длинно-волновая граница | uk |
| dc.subject | фотоприемник | uk |
| dc.subject | импульс | uk |
| dc.subject | когерентное излучение | uk |
| dc.title | Mo-si-фотоприемник с перестраиваемой спектральной чувствительностью | uk |
| dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: