Modelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2S

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.date.accessioned2015-02-09T10:46:50Z
dc.date.available2015-02-09T10:46:50Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англuk
dc.description.abstractThe work is devoted to modeling and calculation of the spatial distribution of the concentration of charge localized in the space charge region (SCR) heterojunction, this distribution changes with time at different initial filling of deep traps centers nonequilibrium holes. Within the framework described model the theoretical calculation of two characteristic stages of relaxation current, compliance with the calculated and experimentally obtained dependencies was demonstrated.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5771
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 23, р. 152-155.
dc.subjectnonideal heterojunctionuk
dc.subjectimage sensoruk
dc.subjectdeep trapsuk
dc.subjecttunnelinguk
dc.titleModelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2Suk
dc.title.alternativeОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
152-155+.pdf
Розмір:
173.45 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics