Рефрактометричні характеристики напівпровідникових лазерів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2018-06-04T12:59:12Z
dc.date.available2018-06-04T12:59:12Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractЕкспериментально досліджено вплив навколишньої діелектричної рідини (етилового спирту та скипидару) на ват-амперні характеристики та поляризацію спонтанного і ла­ зерного випромінювання лазерних гетероструктур на основі GaAs— AlGaAs, а також на кутовий розподіл випромінювання у віддаленому полі. Показано, що зміну інтенсивності випромінювання та його поляризації при зміні навколишньої рідини можна використати для вимірювання показника заломлення даної рідини. Розраховано вплив показника ­ заломлення зовнішнього середовища на інтенсивність та ступінь поляризації випромінювання­ гетероструктур у різних режимах інжекції: у спонтанному режимі, у режимі суперлюмінесценції та у лазерному режимі.uk
dc.identifierУДК 621.319
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16523
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 11.
dc.subjectват-амперна характеристикаuk
dc.subjectполяризаціяuk
dc.subjectгетероструктураuk
dc.subjectінжекціяuk
dc.titleРефрактометричні характеристики напівпровідникових лазерівuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
76-80.pdf
Розмір:
268.37 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics