Влияние гамма облучения на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМалиновская, В. И.
dc.date.accessioned2018-09-08T08:51:25Z
dc.date.available2018-09-08T08:51:25Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractИдентификация дефектов структуры и установление связи между этими дефектами и свойствами кристаллических твердых тел может решить изучение радиационных дефектов. При таких исследованиях очень удобным является то, что можно сравнительно легко изменить вид и количество вводимых радиационных дефектов в кристалл и их пространственное распределение введения. С изменением дефектности изменяются свойства кристалла.uk
dc.identifierУДК 535.372
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18656
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 12
dc.subjectгамма облучениеuk
dc.subjectфотолюминесценцияuk
dc.subjectселенид цинкаuk
dc.titleВлияние гамма облучения на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинкаuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
126-128.pdf
Розмір:
171.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics