DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM
dc.contributor.author | Borshchak, Vitalii A. | |
dc.contributor.author | Kutalova, Mariia I. | |
dc.contributor.author | Zatovska, Nataliia P. | |
dc.contributor.author | Balaban, Andrii P. | |
dc.contributor.author | Smyntyna, Valentyn A. | |
dc.contributor.author | Борщак, Виталий Анатольевич | |
dc.contributor.author | Куталова, Мария Ивановна | |
dc.contributor.author | Затовская, Наталия Петровна | |
dc.contributor.author | Балабан, Андрей Петрович | |
dc.contributor.author | Смынтына, Валентин Андреевич | |
dc.contributor.author | Борщак, Віталій Анатолійович | |
dc.contributor.author | Куталова, Марія Іванівна | |
dc.contributor.author | Затовська, Наталія Петрівна | |
dc.contributor.author | Балабан, Андрій Петрович | |
dc.contributor.author | Сминтина, Валентин Андрійович | |
dc.date.accessioned | 2010-08-30T10:07:43Z | |
dc.date.available | 2010-08-30T10:07:43Z | |
dc.date.issued | 2009 | |
dc.description | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,1996 - Вып. 18. - 2009. | uk |
dc.description.abstract | It is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near the heteroboundary and occurs even at very small intensity of stimulating light. It is connected with the capture of nonequilibrium charge on local centers, presented in spacecharge region. Such change of the form of a potential barrier results in essential change of tunnel hopping conductivity of a spatial charge nonideal heterojunction.Показано, что освещение неидеального гетероперехода CdS-Cu2S приводит к существенному сокращению ширины области пространственного заряда и изменению формы потенциального барьера. Установлено, что вблизи гетерограницы это изменение максимально выражено и происходит даже при очень небольших интенсивностях возбуждающего света. Это связано с захватом неравновесного заряда на присутствующие в области пространственного заряда локальные центры. Такое изменение формы потенциального барьера приводит к существенному изменению туннельно-прыжковой проводимости области пространственного заряда неидеального гетероперехода.Доведено, що засвітлення неідеального гетеропереходу CdS-Cu2S викликає важливе скорочення ширини області просторового заряда та зміни форми потенційного барєру. Встановлено, що поблизу гетеромежі ця зміна максимальна і відбувається при дуже невеликих інтенсивностях збуджую чого світла. Це повязано з захопленням нерівноважного заряду на присутні локальні центри. Такі зміни форми потенц ійного барєру викликають суттєві зміни тунельно стрибкової провідності області просторового заряду неідеального гетеропереходу. | uk |
dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelecnronis. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/114 | |
dc.language.iso | zh | uk |
dc.publisher | Астропринт | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;№18. - Р. 33 - 35. | |
dc.subject | space — nonideal heterojunction | uk |
dc.subject | photoexcitation conditions. | uk |
dc.subject | пространственный заряд | uk |
dc.subject | неидеальный гетеропереход | uk |
dc.subject | условия фотовозбуждения | uk |
dc.subject | просторовий заряд | uk |
dc.subject | неідеальний гетероперехід | uk |
dc.subject | умови фотозбудження | uk |
dc.title | DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM | uk |
dc.title.alternative | ЗАВИСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ ОБЛАСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА НЕИДЕАЛЬНОГО | uk |
dc.title.alternative | ЗАЛЕЖНІСТЬ ПРОВІДНОСТІ ОБЛАСТІ ПРОСТОРОВОГО ЗАРЯДУ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY_ 18-3.pdf
- Розмір:
- 189.27 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.82 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: