Studies of processes within short-wave threshold of photocurrent infrared quenching

dc.contributor.authorDragoev, A. A.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorДрагоев, А. А.
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorДрагоєв, О. О.
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.date.accessioned2010-10-13T12:42:04Z
dc.date.available2010-10-13T12:42:04Z
dc.date.issued2007
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2007.uk
dc.description.abstractIt is shown that spectral position for short-wave threshold of photocurrent infrared quenching can be the indicator for flowing processes of occupation-depletion in recombination traps. It is determined that the competition between photoexcitation and quenching of photocurrent is the characteristic for this spectral region. Thereby, the wavelength of short-wave edge for IR-quenching becomes sensitive to internal exposures. The model explaining the observed changes is developed.en
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/916
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 16
dc.titleStudies of processes within short-wave threshold of photocurrent infrared quenchinguk
dc.title.alternativeИсследование процессов в области коротковолнового порога инфракрасного гашения фотопотокаuk
dc.title.alternativeДослідження процесів в області короткохвильового порогу інфрачервоного гасіння фотострумуuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
60-64.pdf
Розмір:
149.96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Зібрання