Використання р-n переходів на основі арсеніду галію з сульфідномодифікованою поверхнею в якості сенсорів аміаку

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМаслєєва, Наталя Володимирівнаuk
dc.contributor.authorБогдан, О. В.uk
dc.contributor.authorСтукалов, Сергій Анатолійовичuk
dc.contributor.authorЗагинайло, І. В.uk
dc.contributor.authorMaslieieva, Natalia V.en
dc.contributor.authorBohdan, O. V.en
dc.contributor.authorStukalov, Sergiy A.en
dc.contributor.authorZaginaylo, I. V.en
dc.date.accessioned2025-07-12T13:13:30Z
dc.date.available2025-07-12T13:13:30Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractДосліджено вплив режимів сульфідної обробки поверхні на вольт-амперні характеристики прямого та оберненого струмів і чутливість p-n переходів на основі GaAs до парів аміаку. Встановлено, що короткотривала обробка зменшує прямі та обернені струми в передпробійній області, виміряні в повітрі, та призводить до зростання чутливості до парів аміаку. Зменшення струмів вихідних структур, виміряних у повітрі, після сульфідної обробки пояснюється зменшенням щільності поверхневих центрів внаслідок видалення оксидного шару. Причиною чутливості p-n структур на основі GaAs до парів аміаку є утворення каналу поверхневої провідності, який закорочує p-n перехід і призводить до зростання прямих струмів в області низьких рівнів інжекції та обернених струмів у передпробійній області. Короткотривала сульфідна обробка за рахунок зменшення щільності поверхневих центрів збільшує кількість вільних електронів у каналі, що призводить до підвищення чутливості оброблених структур до парів аміаку. Збільшення тривалості обробки супроводжується появою нових поверхневих центрів і зменшенням максимально досягнутої чутливості до парів аміаку. uk
dc.description.abstractThe effect of sulfide surface treatment modes on the volt-ampere characteristics of forward and reverse currents and the sensitivity of GaAs-based p-n junctions to ammonia vapor was investigated. It was found that short-term treatment reduces forward and reverse currents in the pre-breakdown region measured in air and leads to an increase in sensitivity to ammonia vapor. The decrease in the currents of the original structures measured in air after sulfide treatment is explained by a decrease in the density of surface centers due to the removal of the oxide layer. The reason for the sensitivity of GaAs-based p-n structures to ammonia vapor is the formation of a surface conduction channel that short-circuits the p-n junction and leads to an increase in forward currents in the region of low injection levels and reverse currents in the pre-breakdown region. Short-term sulfide treatment, by reducing the density of surface centers, increases the number of free electrons in the channel, which leads to an increase in the sensitivity of the treated structures to ammonia vapor. An increase in the processing time is accompanied by the appearance of new surface centers and a decrease in the maximum sensitivity to ammonia vapor.en
dc.identifier.citationВикористання р-n переходів на основі арсеніду галію з сульфідномодифікованою поверхнею в якості сенсорів аміаку / Н. В. Маслєєва, О. В. Богдан, С. А. Стукалов, І. В. Загинайло // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2025. – Т. 22, № 2. – С. 48–53.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.18524/1815-7459.2025.2.328645
dc.identifier.e-issn2415-3508
dc.identifier.issn1815-7459
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0009-0006-2264-3543
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0009-0002-9012-4498
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-2062-5118
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-4022-9120
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41930
dc.language.isouk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectGaAsen
dc.subjectсульфідна обробкаuk
dc.subjectсенсорuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectp-n junctionen
dc.subjectsulfide treatmenten
dc.subjectsensoren
dc.subjectsensitivityen
dc.titleВикористання р-n переходів на основі арсеніду галію з сульфідномодифікованою поверхнею в якості сенсорів аміакуuk
dc.title.alternativeApplication of p-n junctions based on gallium arsenide with sulfide-modified surface as ammonia sensorsen
dc.typeArticleen
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
48-53.pdf
Розмір:
458.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології