TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorShugarova, V. V.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorШугарова, В. В.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorШугарова, В. В.
dc.date.accessioned2010-09-10T07:33:37Z
dc.date.available2010-09-10T07:33:37Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractThe influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P-n junctions with degenerated p+ region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated p+ region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~20 s is due to filling up deep electron traps. Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n переходах на основе GaAs-AlGaAs с вырожденной p+ областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно высоком парциальном давлении NH3 создает в p-AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. P-n переходы с вырожденной p+ областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной p+ области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20 с в парах аммиака связано с заполнением глубоких электронных ловушек. Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів та на кінетику поверхневих струмів у p-n переходах на основі GaAs-AlGaAs з виродженою p+ областю. Показано, що адсорбція молекул аміаку при достатньо високому парціальному тиску NH3 створює в p-AlGaAs поверхневий провідний канал з виродженими електронами. P-n переходи з виродженою p+ областю мають вищу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Цей ефект пояснюється тунельною інжекцією електронів в провідний канал із виродженої p+ області при зворотному зміщенні. Час наростання поверхневого струму ~20 с в парах аміаку пов’язаний із заповненням глибоких електронних пасток.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/275
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - С. 95 - 98.
dc.subjecttunnel surfeace currentuk
dc.subjectadsorbptionuk
dc.subjectjunctionsuk
dc.subjectтуннельный поверхностный токuk
dc.subjectадсорбцияuk
dc.subjectпереходuk
dc.subjectтунельний поверхневий струмuk
dc.subjectадсорбціяuk
dc.subjectперехідuk
dc.titleTUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTIONuk
dc.title.alternativeТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs–AlGaAs, ОБУСЛОВЛЕННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКАuk
dc.title.alternativeТУНЕЛЬНИЙ ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs–AlGaAs, ОБУМОВЛЕНИЙ АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_18_2009_95-98.pdf
Розмір:
99.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics