INFLUENCE OF THE GLASS PHASE STRUCTURE ON THE RESISTANCE OF THE LAYERS IN SYSTEM “GLASS-RuO2”

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKurmashev, Shamil D.
dc.contributor.authorBuhaiova, T. M.
dc.contributor.authorLavrenova, T. I.
dc.contributor.authorSadova, N. N.
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorБугаева, Т. Н.
dc.contributor.authorЛавренова, Т. И.
dc.contributor.authorСадова, Н. Н.
dc.contributor.authorКурмашев, Шаміль Джамашевич
dc.contributor.authorБугайова, Т. М.
dc.contributor.authorЛавренова, Т. І.
dc.contributor.authorСадова, Н. Н.
dc.date.accessioned2010-09-10T07:48:52Z
dc.date.available2010-09-10T07:48:52Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractInfluence of quantitative and qualitive (phase and granule-metric) composition of initial components on the electro physical properties of thick films on the base of the systems “glass — clusters RuO2, Bi2Ru2O7” was investigated. At the fixed values of functional material content mf (RuO2) and glass phase mg, the increase of mass of crystalline phase mcr leads to decrease of conductivity, therefore to the increase of resistance of resistive layer. Исследовано влияние количественного и качественного (фазовый и гранулометрический) состава исходных компонентов на электрофизические параметры толстых пленок на базе систем “стекло — кластеры RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданных величинах содержания функционального материала (RuO2) и стеклянной фазы увеличение массы кристаллической фазы приводит к увеличению сопротивления резистивной пленки. Досліджено вплив кількісного та якісного (фазовий і гранулометричний) складу вихідних компонентів на електрофізичн і параметри товстих плівок на базі систем “скло — кластери RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданих величинах вмісту функціонального матеріалу (RuO2) і скляної фази збільшення маси кристалічної фази призводить до зменшення величини провідності, тобто до збільшення опору резистивної плівки.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/277
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - С. 99 - 102.
dc.subjectsructureuk
dc.subjectphaseuk
dc.subjectresistanceuk
dc.subjectlayeruk
dc.subjectструктураuk
dc.subjectфазаuk
dc.subjectсопротивлениеuk
dc.subjectплёнкаuk
dc.subjectструктураuk
dc.subjectфазаuk
dc.subjectопірuk
dc.subjectплівкаuk
dc.titleINFLUENCE OF THE GLASS PHASE STRUCTURE ON THE RESISTANCE OF THE LAYERS IN SYSTEM “GLASS-RuO2”uk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ СТЕКЛЯННОЙ ФАЗЫ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК В СИСТЕМЕ “СТЕКЛО-RuO2”uk
dc.title.alternativeВПЛИВ СТРУКТУРИ СКЛЯНОЇ ФАЗИ НА ОПІР РЕЗИСТИВНИХ ПЛІВОК В СИСТЕМІ “СКЛО-RuO2”uk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_18_2009_99-102.pdf
Розмір:
82.81 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics