Формування поверхневого провiдного каналу в P-N структурах при адсорбцii іонів

dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2018-02-27T22:59:31Z
dc.date.available2018-02-27T22:59:31Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractПроведено двовимiрнi чисельнi розрахунки розподiлу потенцiалу i густини струму в p-n структурах на основi GaAs з урахуванням поверхневоi рекомбiнацii та викривлення зон пiд дiсю адсорбованих iонiв. Дiя адсорбованих iонiв, локалiзованих на поверхнi власного оксиду, врахована в граничних умовах наявнiстю сильного поверхпевого електричного поля. Розрахунки пiдтверджують модель створення поверхпевого провiдного каналу пiд дiсю iонiв i виявляють ряд особливостей його параметрiв.uk
dc.description.abstractПроведены двумерные численные расчеты распределения потенциала и плотности тока в p-n структурах на основе GaAs с учетом поверхностной рекомбинации и искривления зон под действием адсорбированных ионов. Действие адсорбированных ионов, локализованных на поверхности- собственного оксида, учтено в граничных условиях наличием сильного nоверхностного электрического nоля. Расчеты подтверждают модель образования поверхностного nроводящего канала под действием ионов и обнаруживают ряд особенностей его параметров.uk
dc.description.abstractTwo-dimensional numerical calculations of potential- and current density distributions in p-n structures оп GaAs were performed taking into account surface recomblnation, as well as the band bending due to adsorbed ions. The action ofadsorbed ions, located on the surface ofthe natural oxide, was described in the Ьoundary condition Ьу the presence of а strong surface electric field. The calculations reinforce the model of the surface conductive channel forming due to the ions and reveal some features of its parametersuk
dc.identifier.citationВісник Одеського національного університету = OdesaNationalUniversityHeralduk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12951
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseriesФізико-математичні науки;Т. 8, вип. 2.
dc.subjectповерхневі провідні каналиuk
dc.subjectадсорбція іонівuk
dc.subjectповерхностные проводящие каналыuk
dc.subjectадсорбция ионовuk
dc.subjectsurface conductive channelsuk
dc.subjectadsorption of ionsuk
dc.titleФормування поверхневого провiдного каналу в P-N структурах при адсорбцii іонівuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
226-233.pdf
Розмір:
304.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: