NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorBalaban, Andrii P.
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorZatovska, Nataliia P.
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorБалабан, Андрій Петрович
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторович
dc.contributor.authorЗатовська, Наталія Петрівна
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorБалабан, Андрей Петрович
dc.contributor.authorБритавский, Евгений Викторович
dc.contributor.authorЗатовская, Наталия Петровна
dc.date.accessioned2010-09-06T10:44:12Z
dc.date.available2010-09-06T10:44:12Z
dc.date.issued2010
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.uk
dc.description.abstractCdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched structure, for example, tunnel-jumping conductivity. Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності. Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например, туннельно-прыжковой проводимости.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/194
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 19. - Р. 22 - 24.
dc.subjectheterojunctionuk
dc.subjectbarrieruk
dc.subjecttunnel — jumping conductivityuk
dc.subjectгетероперехідuk
dc.subjectбар,єрuk
dc.subjectтунельно — стрибкова провідністьuk
dc.subjectгетеропереходuk
dc.subjectбаръерuk
dc.subjectтунельно — прыжковая проводимостьuk
dc.titleNONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITYuk
dc.title.alternativeПРОВІДНІСТЬ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУuk
dc.title.alternativeПРОВОДИМОСТЬ НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДАuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_19_2010_22-24.pdf
Розмір:
274.09 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics