Вплив парів аміаку на поверхневий струм p-n структур на основі напівпровідників AІІІBV

dc.contributor.authorАртеменко, О. С.
dc.contributor.authorМаслєєва, Наталія Володимирівна
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2018-02-26T12:11:51Z
dc.date.available2018-02-26T12:11:51Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractДосліджено вплив парів води, етилену, ацетону та аміаку на вольт-амперні характеристики р-n структур на основі GaAs, GaP, AlGaAs-GaAs. Струм, обумовлений адсорбцією NH3, лінійно залежав від напруги, що можна пояснити утворенням провідного поверхневого каналу. Вивчено кінетику зміни поверхневого струму при зміні газового середовища. Поверхневий струм лінійно залежав від тиску парів NH3, що можна використати для створення сенсора даних парів.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние паров воды, этилена, ацетона и аммиака на вольт-амперные характеристики р-n структур на основе GaAs, GaP, AlGaAs-GaAs. Ток, обусловленный адсорбцией NH3, линейно зависел от напряжения, что можно объяснить образованием проводящего поверхностного канала. Изучена кинетика изменения поверхностного тока при изменении газовой среды. Поверхностный ток линейно зависел от давления паров NH3, что можно использовать для создания сенсора данных паров.uk
dc.description.abstractThe effect of vapors of water, ethylene, acetone, and ammonia was investigated on the currcnt-voltage characteristics of р-n structures on GaAs, GaP, AlGaAs-GaAs. The current caused by the adsorption of NH3 linearly depended on the voltage, which can be explained by the formation of a conducting surface channel. The kinetics of the change in the surface current by the change of gas atmosphere was studied. The surface current linearly depended on the pressure of NH3 vapors, which can be used for creation of a sensor of these vapors.uk
dc.identifier.citationВісник Одеського національного університету = Odesa National University Heralduk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12925
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseriesФізико-математичні науки;Т. 6, вип. 3.
dc.subjectпари водиuk
dc.subjectетиленuk
dc.subjectацетонuk
dc.subjectаміакuk
dc.subjectр-n структураuk
dc.subjectпары водыuk
dc.subjectэтиленuk
dc.subjectаммиакuk
dc.subjectvapors of wateruk
dc.subjectethyleneuk
dc.subjectacetoneuk
dc.subjectammoniauk
dc.subjectр-n structureuk
dc.titleВплив парів аміаку на поверхневий струм p-n структур на основі напівпровідників AІІІBVuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
147-153.pdf
Розмір:
345.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: