EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONS

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorGilmutdinova, Valeriia R.
dc.contributor.authorDovganyuk, G. V.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorГільмутдінова, Валерія Рафаїлівна
dc.contributor.authorДовганюк, Г. В.
dc.contributor.authorГильмутдинова, Валерия Рафаэловна
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.date.accessioned2013-03-12T13:27:13Z
dc.date.available2013-03-12T13:27:13Z
dc.date.issued2012
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.uk
dc.description.abstractThe influence of ammonia and water vapors on I-V characteristics of the reverse currents in Si and GaAs p-n junctions was studied. At most of the studied samples, the ammonia- and water vapors lover the breakdown voltage. At some devices an opposite effect was observed. This difference is due to dominance of different surface centers, which have donor or acceptor properties. And some p-n junctions exhibit a fixed breakdown voltage independently on the presence of ammonia and water vapors. This is due to the bulk location of the breakdown in these samples. Thus, the influence of ammonia vapors on the breakdown voltage provides some information on the localization of the breakdown and on the charge state of surface centersuk
dc.description.abstractДосліджено вплив парів аміаку та води на вольт-амперні характеристики зворотних струмів у p-n переходах на основі Si та GaAs. В більшості досліджених зразків пари аміаку та води зменшують напругу пробою. На деяких зразках спостерігався зворотний ефект. Ця різниця обумовлена домінуванням різних поверхневих центрів, які мають донорні або акцепторні властивості. Деякі p-n переходи мають фіксовану напругу пробою незалежно від присутності парів аміаку та води. Дана поведінка обумовлена локалізацією пробою в об'ємі кристалу в таких зразках. Таким чином, вплив парів аміаку на напругу пробою дає інформацію про локалізацію пробою і про зарядовий стан поверхневих центрівuk
dc.description.abstractИсследовано влияние паров аммиака и воды на вольт-амперные характеристики обратных токов в p-n переходах на основе Si и GaAs. В большинстве исследованных образцов пары аммиака и воды уменьшают напряжение пробоя. На некоторых образцах наблюдался обратный эффект. Это различие обусловлено доминированием различных поверхностных центров, имеющих донорные либо акцепторные свойства. Некоторые p-n переходы имеют фиксированное напряжение пробоя независимо от присутствия паров аммиака и воды. Такое поведение обусловлено локализацией пробоя в объеме кристалла в таких образцах. Таким образом, влияние паров аммиака на напряжение пробоя дает информацию о локализации пробоя и о зарядовом состоянии поверхностных центровuk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3398
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университете имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 21, p.121-126
dc.subjectp-n junctionuk
dc.subjectgas sensoruk
dc.subjectreverse currentuk
dc.subjectbreakdown voltageuk
dc.subjectsurface centeruk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectзворотний струмuk
dc.subjectнапруга пробоюuk
dc.subjectповерхневий центрuk
dc.subjectp-n переходuk
dc.subjectгазовый сенсорuk
dc.subjectобратный токuk
dc.subjectнапряжение пробояuk
dc.subjectповерхностный центрuk
dc.titleEFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONSuk
dc.title.alternativeВПЛИВ ПАРІВ АМІАКУ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЮ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ Si ТА GaAsuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ПАРОВ АММИАКА НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЯ P-N ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ Si И GaAsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Fotoelectronika_21.121-126.pdf
Розмір:
173.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics