Photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectral region
dc.contributor.author | Vaksman, Yurii F. | |
dc.contributor.author | Nitsuk, Yurii A. | |
dc.contributor.author | Ваксман, Юрий Федорович | |
dc.contributor.author | Ницук, Юрий Андреевич | |
dc.contributor.author | Ваксман, Юрій Федорович | |
dc.contributor.author | Ніцук, Юрій Андрійович | |
dc.date.accessioned | 2015-10-06T08:42:24Z | |
dc.date.available | 2015-10-06T08:42:24Z | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.description | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2015. | uk |
dc.description.abstract | The photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectra region are studied. The scheme of optical transitions within Cr2+ impurity centers is established. It is shown that the high-temperature impurity photoconductivity of ZnSe:Cr crystals is controlled by optical transitions of electrons from the 5T2(D) ground state to the higher levels of excited states of Cr2+ ions, with subsequent thermal activation of the electrons to the conduction band. Efficient excitation of intracenter luminescence of ZnSe:Cr crystals is attained with light corresponding to the region of intrinsic absorption in Cr2+ ions. | uk |
dc.description.abstract | Исследована фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Cr в видимой области спектра. Установлена схема оптических переходов, происходящих в пределах примесных центров Cr2+. Показано, что высокотемпературная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Cr обусловлена оптическими переходами электронов из основного состояния 5T2(D) на более высокие возбужденные энергетические уровни иона Cr2+ с их последующей термической активацией в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Cr осуществляется светом из области примесного поглощения. | uk |
dc.description.abstract | Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектру. Встановлено схему оптичних переходів в межах домішкових центрів Cr2+. Показано, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnSe:Cr обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 5T2(D) на більш високі збуджені енергетичні рівні іону Cr2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутришньоцентрової люмінесценції кристалів ZnSe:Cr відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів Cr2+. | uk |
dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelectronics | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/7293 | |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;Вип. 24. | |
dc.subject | селенид цинка | uk |
dc.subject | диффузионное легирование | uk |
dc.subject | примесь хрома | uk |
dc.subject | фотопроводимость | uk |
dc.subject | фотолюминесценция | uk |
dc.subject | селенід цинку | uk |
dc.subject | дифузійне легування | uk |
dc.subject | домішка хрому | uk |
dc.subject | фотопровідність | uk |
dc.subject | фотолюмінесценція | uk |
dc.title | Photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectral region | uk |
dc.title.alternative | Фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Cr в видимой области спектра | uk |
dc.title.alternative | Фотопровідність і фотолюмінесценція кристалів ZnSe:Cr у видимій області спектру | uk |
dc.type | Article | uk |