Электропроводность и люминесценция монокристаллов селенида цинка, отожженных в селене

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorНицук, Юрий Андреевич
dc.date.accessioned2018-06-04T11:41:51Z
dc.date.available2018-06-04T11:41:51Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractИсследованы электрофизические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe и Z n S e :In :Z n , отожженных в парах селена. Показано, что отжиг в селене приводит к инверсии типа проводимости. Дырочная проводимость кристаллов, отожженных в селене, контролируется акцепторами, в состав которых входят вакансии цинка, а также амфотерные примеси индия Іn5, локализованные в подрешетке селена. Увеличение ­ концентрации катионных вакансий приводит к разгоранию люминесценции и росту фотопро­водимости в области 460—480 нм.uk
dc.identifierУДК 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16502
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 11.
dc.subjectинверсияuk
dc.subjectкристаллuk
dc.subjectакцепторuk
dc.subjectамфотерная примесьuk
dc.titleЭлектропроводность и люминесценция монокристаллов селенида цинка, отожженных в селенеuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
24-26.pdf
Розмір:
146.67 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics