Полевые транзисторы с инжекцией из истока на основе слоистого CdхHg1хTe

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorГрадобоев, А. А.
dc.date.accessioned2018-06-05T09:12:01Z
dc.date.available2018-06-05T09:12:01Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractИзучался полевой транзистор с инжекцией из истока на основе слоистого твердого раствора CdxHg1хТе. Показано, что параметр неоднородности базового материала влияет на вольт-амперную характеристику транзистора.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.issnУДК 621.315.592
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16559
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 8.
dc.subjectполевой транзисторuk
dc.subjectвольт-ампернакя характеристикаuk
dc.subjectузкозонный полупроводникuk
dc.subjectCdHgTeuk
dc.titleПолевые транзисторы с инжекцией из истока на основе слоистого CdхHg1хTeuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
с.45-46.pdf
Розмір:
90.86 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics