NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORS

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorDovganyuk, G. V.
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorДовганюк, Г. В.
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorДовганюк, Г. В.
dc.date.accessioned2012-05-24T12:55:54Z
dc.date.available2012-05-24T12:55:54Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2011. - англ.uk
dc.description.abstractThe influence of ammonia vapors on I—V characteristics of the forward and reverse currents in silicon p—n junctions with different doping levels was studied.Some samples had anomalous high forward and reverse currents.They had negative sensitivity to ammonia vapors.The forward and reverse currents decreased with increasing ammonia partial pressure in the ambient atmosphere.This effect is explained under an assumption that some ionized acceptor centers are present on the n-region surface and form a surface conductive channel,which shorts the p—n junction. Adsorption of ammonia molecules,which are donors in Si,compensates the surface acceptors and diminish the conductivity of the channel.uk
dc.description.abstractДосліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів кремнієвих p—n переходів з різним рівнем легування.Деякі зразки мали аномально високі прямий і зворотний струми.Вони мали негативну чутливість до парів аміаку.Прямий і зворотний струми зменшувалися зі зростанням парціального тиску аміаку в навколишній ат- мосфері.Даний ефект пояснюється у припущенні,що на поверхні n-області знаходяться іонізовані акцепторні центри і формують провідний канал,який закорочує p—n перехід.Адсорбція молекул аміаку,які є донорами в Si,компенсує поверхневі акцептори і зменшує електропровідність каналу.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов кремниевых p—n переходов с различным уровнем легирования. Некоторые образцы имели аномально высокие прямой и обратный токи.Они имели отри- цательную чувствительность к парам аммиака. Прямой и обратный токи уменьшались с ростом парциального давления аммиака в окружающей атмосфере.Данный эффект объясняется в предположении,что на поверхности n-области находятся ионизированные акцепторные центры и формируют проводящий канал,который закорачивает p—n переход.Адсорбция молекул аммиака,которые являются донорами в Si, компенсирует поверхностные акцепторы и умень- шает электропроводность канала.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2477
dc.language.isoenuk
dc.publisherAstroprintuk
dc.relation.ispartofseries;Вип.20,С.44-48
dc.subjectgas sensoruk
dc.subjectp-n junctionuk
dc.subjectsurface statesuk
dc.subjectconductive channeluk
dc.subjectsensitivityuk
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectповерхневі станиuk
dc.subjectпровідний каналuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectгазовый сенсорuk
dc.subjectp—n переходuk
dc.subjectповерхностные состоянияuk
dc.subjectпроводящий каналuk
dc.subjectчувствительностьuk
dc.titleNEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORSuk
dc.title.alternativeНЕГАТИВНА ЧУТЛИВІСТЬ КРЕМНІЄВИХ p—n ПЕРЕХОДІВ ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВuk
dc.title.alternativeОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ p—n ПЕРЕХОДОВ КАК ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
фото_20_44-48+.pdf
Розмір:
208.96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics