Photosensors with Si— GaAs heterojunction as memory elements

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorTerletskaya, L. L.
dc.contributor.authorSkobeeva, Valentyna M.
dc.contributor.authorGolubtsov, V. V.
dc.date.accessioned2018-06-01T14:11:32Z
dc.date.available2018-06-01T14:11:32Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractThe photosensors with non-ideal heterojunction, prepared by special technique, have property of anode voltage independent accumulation and memory. The regularity of structure switching was found in dependence on intensity and duration of light signal. The mechanism of memory effects is proposed. The possibility of creating of energy independent memory devices is shown.uk
dc.identifierU DC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16449
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 10.
dc.subjectphotoheterothyristorsuk
dc.subjectheterojunctionuk
dc.subjectqualitativelyuk
dc.subjectilluminationuk
dc.titlePhotosensors with Si— GaAs heterojunction as memory elementsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
78-79.pdf
Розмір:
87.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics