One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorIatsunskyi, Igor R.
dc.contributor.authorNowaczyk, G.
dc.contributor.authorPavlenko, Mykola V.
dc.contributor.authorFedorenko, V. V.
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorЯцунский, Игорь Ростиславович
dc.contributor.authorНовачик, Г.
dc.contributor.authorПавленко, Николай Николаевич
dc.contributor.authorФедоренко, В. В.
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorЯцунський, Ігор Ростиславович
dc.contributor.authorНовачик, Г.
dc.contributor.authorПавленко, Микола Миколайович
dc.contributor.authorФедоренко, В. В.
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.date.accessioned2015-02-05T13:27:05Z
dc.date.available2015-02-05T13:27:05Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2014. - англ.uk
dc.description.abstractRaman scattering from highly/low resistive nanostructured silicon films prepared by metal-assisted chemical etching was investigated. Raman spectrum of obtained silicon nanostructures was measured. Interpretation of observed one and two-phonon Raman peaks are presented. First-order Raman peak has a redshift and broadening. This phenomenon is analyzed in the framework of the phonon confinement model taking into account mechanical stress effects. Second-order Raman peaks were found to be shifted and broadened in comparison to those in the bulk silicon. The peak shift and broadening of two-phonon Raman scattering relates to phonon confinement and disorder. A broad Raman peak between 900-1100 cm-1 corresponds to superposition of three transverse optical phonons ~2TO (X), 2TO (W) and 2TO (L). Influence of excitation wavelength on intensity redistribution of two-phonon Raman scattering components (2TO) is demonstrated and preliminary theoretical explanation of this observation is presented.uk
dc.description.abstractВ работе представлено исследование комбинационного рассеяния (КРС) наноструктурированного кремния полученного методом химического неэлектролитического травления. Представлена интерпретация наблюдаемых одно и двухфононных пиков КРС. Было выявлено, что пики КРС первого и второго порядка смещаются и уширяются относительно пика объемного кремния. Данное явление анализируется в рамках фононного конфайнмента с учетом механи¬ческих напряжений. Широкий пик КРС второго порядка в области 900-1100 см-1 соответствует суперпозиции трех поперечных оптических фононов ~ 2ТО (X), 2ТО (W) и 2ТО (L).uk
dc.description.abstractУ роботі представлено дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію отриманого методом хімічного неелектролітіческіх травлення. Представлена інтерпретація спостережуваних одне і двухфононних піків КРС. Було виявлено, що піки КРС першого і другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об’ємного кремнію. Дане явище аналізується в рамках фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900-1100 см-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2ТО (X), 2ТО (W) і 2ТО (L).uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/5748
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 23, р. 44-53.
dc.subjectporous siliconuk
dc.subjectRaman scatteringuk
dc.subjectmetal-assisted chemical etchinguk
dc.subjectпористый кремнийuk
dc.subjectРамановское рассеяниеuk
dc.subjectнеэлектролитическое травлениеuk
dc.subjectпоруватий кремнійuk
dc.subjectРаманівське розсіянняuk
dc.subjectнеелектролітичне травленняuk
dc.titleOne and two-phonon raman scattering from nanostructured siliconuk
dc.title.alternativeОдно и двухфононное рамановское рассеяние наноструктурированного кремнияuk
dc.title.alternativeОдно та дфохфононе раманівське розсіяння наноструктурованого кремніюuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
44-53+.pdf
Розмір:
402.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics