Фотоэлектрические свойства слоев сульфида свинца, полученных методами химического осаждения и пульверизации
Вантажиться...
Дата
1999
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследованы фотоэлектричекие свойства слоев сульфида свинца, полученных методами химического осаждения и пульверизации. Установлено, что фотоэлектрические свойства в пленках сульфида свинца, изготовленных обоими методами, определяются наличием в этих пленках потенциальных барьеров для носителей тока. Выявлено, что потенциальные барьеры формируются на межзеренных границах оксидными фазами, причем метод химического осаждения создает сравнительно тонкие оксидные барьеры, а метод пульверизации — толстые. Показано, что условии, ответственные за формирование таких барьеров в методе пульверизации сравнительно просто поддаются управлению, что дает возможность регулировать в технологическом процессе будущие параметры устройств.
Опис
Ключові слова
сульфид свинца, метод химического осаждения, метод пульверизации, фотоэлектрические свойства
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics