ДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIV

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.date.accessioned2013-11-25T14:28:50Z
dc.date.available2013-11-25T14:28:50Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractУ роботі проведено дослідження концентрації вільних носіїв, їх рухливості, висоти бар'єру в зразках полікристалічних гетероструктур Cu2S-CdS з використанням методики вимірювань бар'єрних характеристик при підключенні лінійно зростаючої напруги. Виділено три типи зразків з характерним виглядом залежностей зростання струму від часу при такому зміщенні. Проведено моделювання отриманих експериментальних кривих таких залежностей. Визначено такі параметри досліджуваних гетероструктур, як концентрація вільних носіїв, рухливість, висота бар'єру. Показано, що час нанесення плівок і температура підкладки в значній мірі впливають на фотоелектричні властивості зразків за рахунок варіювання концентрації вільних носіїв і глибоких рекомбінаційних центрів, що є актуальним при оптимізації технологічних параметрів отримання сенсорів зображень на базі таких структур.uk
dc.description.abstractВ работе были проведены исследования концентрации свободных носителей, их подвижности, высоты барьера в образцах поликристаллических гетероструктур Cu2S-CdS с использованием методики измерений барьерных характеристик при подключении линейно возрастающего напряжения. Выделены три типа образцов с характерным видом зависимостей нарастания тока от времени при таком смещении. Проведено моделирование полученных экспериментальных кривых таких зависимостей. Определены такие параметры исследуемых гетероструктур, как концентрация свободных носителей, подвижность, высота барьера. Показано, что время нанесения пленок и температура подложки в значительной степени влияют на фотоэлектрические свойства образцов за счёт варьирования концентрации свободных носителей и глубоких рекомбинационных центров, что является актуальным при оптимизации технологических параметров получения сенсоров изображений на базе таких структурuk
dc.description.abstractThe investigation of free carrier concentration, mobility, barrier height in polycrystalline Cu2S–CdS heterostructures formed by substitution technique have been examined by the barrier evaluation by linearly increasing pulsed voltage technique. Measurements enabled us to reveal three types of samples with different dependences of current increment during bias pulse. Mathematical modeling of experimental curves was held then. Several internal parameters like free carriers concentration, mobility, barrier height were obtained. It is shown that the layer deposition temperature and duration affect to photoelectrical properties of heterojunction layers by varying free carrier density and the density of deep recombination centers. That is actual in technical parameters optimization during the fabrication of image sensors based on studied structure.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3975
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 10, № 3.
dc.subjectметодика BELIVuk
dc.subjectнеідеальний гетероперехідuk
dc.subjectсенсор зображеньuk
dc.subjectметодика BELIVuk
dc.subjectнеидеальный гетеропереходuk
dc.subjectсенсор изображенийuk
dc.subjectBELIV methodicuk
dc.subjectnonideal heterojunctionuk
dc.subjectimage sensoruk
dc.titleДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIVuk
dc.title.alternativeCdS-Cu2S HETEROJUNCTION BARRIER PROPERTIES CHARACTERIZATION BY BELIVuk
dc.title.alternativeИССЛЕДОВАНИЕ БАРЬЕРНЫХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА Cu2S–CdS С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДИКИ BELIVuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
82-87+.pdf
Розмір:
570.52 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології