ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВикулин, И. М.
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorМайстренко, И. Е.
dc.contributor.authorМарколенко, П. Ю.
dc.contributor.authorВікулін, І. М.
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorМайстренко, І. Е.
dc.contributor.authorМарколенко, П.Ю.
dc.contributor.authorVikulin, I. V.
dc.contributor.authorKurmashev, Sh. D.
dc.contributor.authorMaistrenko, A. E.
dc.contributor.authorMarkolenko, P. Yu.
dc.date.accessioned2010-09-07T09:13:21Z
dc.date.available2010-09-07T09:13:21Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт. –
dc.description.abstractРазработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие радиации на его работоспособность. Розроблена схема датчика температури на основі генератора на одноперехідному транзисторі з двома струмозадаючими польовими транзисторами, частота генерації якого лінійно зростає із збільшенням температури. Експериментально досліджена дія радіації на його працездатність. The chart of sensor of temperature is developed on the basis of generator on an unijunction transistor with two current-lead fields transistors, frequency of generation of which linear grows with the increase of temperature. Influence of radiation is experimentally investigational on his capacity.uk
dc.identifier.citationSensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/205
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries№ 2. - С. 18 - 21.
dc.subjectдатчикuk
dc.subjectоднопереходный транзисторuk
dc.subjectгенераторuk
dc.subjectодноперехідний транзисторuk
dc.subjectsensoruk
dc.subjectunijunction transistoruk
dc.subjectgeneratoruk
dc.titleДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИuk
dc.title.alternativeДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО І ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРІВ ПРИ ДІЇ РАДІАЦІЇuk
dc.title.alternativeSENSOR OF TEMPERATURE ON THE BASIS OF UNIJUNCTION AND FIELD TRANSISTORS AT THE RADIATION-DAMAGEuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
sens2_09_18-21.pdf.pdf
Розмір:
92.31 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання