Особенности аномальной температурной зависимости темнового тока полупроводниковых слоев селенида кадмия
Вантажиться...
Дата
1982
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
На основании экспериментальных результатов
по измерению температурной
зависимости темнового тока (ТЗТТ) на
полупроводниковых слоях С4Бе и стеклянной
подложке и зависимости давления, в
камере от температуры рассмотрен механизм
влияния адсорбционных процессов
на поверхностях полупроводника селенида
кадмия и стеклянной подложки на их
ТЗТТ.
Опис
Ключові слова
селенид кадмия, температурная зависимость, темновой ток
Бібліографічний опис
Электронная техника