Особенности аномальной температурной зависимости темнового тока полупроводниковых слоев селенида кадмия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГриневич, Виктор Сергеевич
dc.contributor.authorСердюк, В. В.
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.date.accessioned2017-11-28T09:06:31Z
dc.date.available2017-11-28T09:06:31Z
dc.date.issued1982
dc.description.abstractНа основании экспериментальных результатов по измерению температурной зависимости темнового тока (ТЗТТ) на полупроводниковых слоях С4Бе и стеклянной подложке и зависимости давления, в камере от температуры рассмотрен механизм влияния адсорбционных процессов на поверхностях полупроводника селенида кадмия и стеклянной подложки на их ТЗТТ.uk
dc.identifierУДК 621.315.592.2:546.48
dc.identifier.citationЭлектронная техникаuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/11568
dc.language.isoruuk
dc.relation.ispartofseries6 (материалы);№ 10(171).
dc.subjectселенид кадмияuk
dc.subjectтемпературная зависимостьuk
dc.subjectтемновой токuk
dc.titleОсобенности аномальной температурной зависимости темнового тока полупроводниковых слоев селенида кадмияuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
53-56.pdf
Розмір:
386.61 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ