Перегляд за Автор "Kurmashev, Sh. D."

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    MIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gate
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalev, V. A.; Tumanov, U. G.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашов, Ш. Д.; Мінгалєв, В. А.; Туманів, Ю. Г.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Туманов, Ю. Г.
    The physical mechanisms of the operation of the field-effect MIS-phototransistor with p-n- …-p-n — structure as the gate is considered. The photo-voltage, which is raised with illumination, operates by current in the channel of the transistor. The photosensitivity of such transistors better than that of the photodetector with absorption of light only in the channel. The utilization as the gate of semiconductor with greater wide band gap than material of channel is extended the spectral region of sensitivity in ultraviolet. Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-…-p-n-структуроюв якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-…-p-n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу,розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. рассмотрены физические механизмы действия полевого МДП фототранзистора с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора. Возникающее при освещении затвора фотонапряжение управляет током в канале транзистора. Фоточувствительность такого прибора намного выше,чем у фотопремника с однородной структурой затвора. Использование в качестве затвора полупроводниковой p-n-…-p-n-структуры с большей шириной запрещенной зоны, чем материала канала, расширяет спектральный диапазон чувствительности в УФ области.
  • Ескіз
    Документ
    ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
    (Астропринт, 2009) Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Майстренко, И. Е.; Марколенко, П. Ю.; Вікулін, І. М.; Курмашев, Ш. Д.; Майстренко, І. Е.; Марколенко, П.Ю.; Vikulin, I. V.; Kurmashev, Sh. D.; Maistrenko, A. E.; Markolenko, P. Yu.
    Разработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие радиации на его работоспособность. Розроблена схема датчика температури на основі генератора на одноперехідному транзисторі з двома струмозадаючими польовими транзисторами, частота генерації якого лінійно зростає із збільшенням температури. Експериментально досліджена дія радіації на його працездатність. The chart of sensor of temperature is developed on the basis of generator on an unijunction transistor with two current-lead fields transistors, frequency of generation of which linear grows with the increase of temperature. Influence of radiation is experimentally investigational on his capacity.
  • Ескіз
    Документ
    Зависимость электрофизических параметров нанодисперсных композитов “стекло – RuO2” от размеров агломератов частиц токопроводящей фазы
    (Одеський національний університет, 2012) Курмашев, Ш. Д.; Лепих, Ярослав Ильич; Лавренова, Т. И.; Бугаева, Т. Н.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Лавренова, Т. I.; Бугайова, Т. М.; Kurmashev, Sh. D.; Lepikh, Yaroslav I.; Lavrenova, T. I.; Bugaeva, T. N.
    Исследовано влияния размеров агломератов токопроводящей фазы (RuO2) на электрофизические характеристики гетерофазной системы “стекло-RuO2”. Уменьшение средних размеров агломератов RuO2 (при фиксированных размерах частиц стекла) приводит к увеличению удельного поверхностного сопротивления гетерофазной системы
  • Ескіз
    Документ
    ИЗГОТОВЛЕНИЕ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4 С ПРИМЕНЕНИЕМ СО2-ЛАЗЕРА
    (Одеський національний університет, 2012) Курмашев, Ш. Д.; Софронков, О. Н.; Бугаева, Т. Н.; Лавренова, Т. И.; Дзюба, Н. С.; Софронков, А. Н.; Бугайова, Т. М.; Лавренова, Т. І.; Kurmashev, Sh. D.; Sofronkov, A. N.; Bugaeva, T. N.; Lavrenova, T. I.; Dzyuba, N. S.
    Рассмотрен процесс получения порошков SiC и Si3N4 с применением С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые реагентные газы - силан и аммиак (для получения нитрида кремния) или этилен (для получения карбида кремния) пропускаются через луч С02-лазера. Получены мелкодисперсные, содержащие сферические частицы одинакового размера (монодисперсные), высокочистые, неагломерированные порошки SiC и Si3N4.
  • Ескіз
    Документ
    ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ
    (Астропринт, 2006) Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Вікулін, І. М.; Курмашев, Ш. Д.; Мінгальов, В. А.; Vikulin, I. M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalov, V. A.
    В работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream. Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.