Нестабільність поверхневих центрів у газових сенсорах на основі арсенід-галієвих р-х переходів

dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович
dc.contributor.authorГільмутдінова, Валерія Рафаїлівна
dc.contributor.authorСевастян, А. П.
dc.contributor.authorПечерянський, О. В.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2019-03-27T10:52:19Z
dc.date.available2019-03-27T10:52:19Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractДосліджено вплив зберігання р-п переходів на основі GaAs при підвищених температурах на їх характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Газова чутливість сенсорів визначалась за виразом.uk
dc.identifier.citation6-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23343
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subjectповерхневі центриuk
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectарсенід-галієвий р-х перехідuk
dc.titleНестабільність поверхневих центрів у газових сенсорах на основі арсенід-галієвих р-х переходівuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
72.pdf
Розмір:
49.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: