Нестабільність поверхневих центрів у газових сенсорах на основі арсенід-галієвих р-х переходів
Вантажиться...
Файли
Дата
2014
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Досліджено вплив зберігання р-п переходів на основі GaAs при підвищених температурах на їх характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Газова чутливість сенсорів визначалась за виразом.
Опис
Ключові слова
поверхневі центри, газовий сенсор, арсенід-галієвий р-х перехід
Бібліографічний опис
6-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.