Вплив рентгенівського опромінення на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідник

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовалюк, Сергій Вікторович
dc.date.accessioned2018-05-21T10:16:53Z
dc.date.available2018-05-21T10:16:53Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractУнікальні фізичні властивості межі між кристалічним кремнієм і аморфним SiC>2 є передумовою для розвитку сучасної кремнієвої мікроелектроніки , що базується на планарній технології . В кремнієвих мікросхемах активним елементом є транзистор на основі структури метал - діалектик - напівпровідник (МДН - транзистор). Схеми на МДН транзисторах складають на сьогодні значну частину виробів , що випускаються електронною промисловістю . На їх основі будується більшість інтегральних схем (ІС) з великим ступенем інтеграції (ВІС) і надвеликим ступенем (НВІС). Схеми на МОН-транзисторах займають домінуюче положення при створенні таких функціонально закінчених виробів, як постійні і оперативні запам’ятовуючі пристрої , мікроконтролери , мікропроцесори та інші.uk
dc.identifier.citationКовалюк, С. В. Вплив рентгенівського опромінення на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідник = Effect of X-ray irradiation on the electrical properties of the structures metal-insulator- semiconductor : дипломна робота бакалавра / С. В. Ковалюк ; наук. кер. В. І. Солошенко ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 35 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/15480
dc.language.isootheruk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subject6.040203 Фізикаuk
dc.subjectрадіаційна стійкістьuk
dc.subjectопроміненняuk
dc.subjectрадіаційні дефектиuk
dc.subjectдеградаційні процесиuk
dc.subjectрентгенuk
dc.titleВплив рентгенівського опромінення на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідникuk
dc.title.alternativeEffect of X-ray irradiation on the electrical properties of the structures metal-insulator- semiconductoruk
dc.typeOtheruk
Файли
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Факультет математики, фізики та інформаційних технологій