Вплив рентгенівського опромінення на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідник
Вантажиться...
Дата
2017
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Унікальні фізичні властивості межі між кристалічним кремнієм і
аморфним SiC>2 є передумовою для розвитку сучасної кремнієвої
мікроелектроніки , що базується на планарній технології . В кремнієвих
мікросхемах активним елементом є транзистор на основі структури метал -
діалектик - напівпровідник (МДН - транзистор).
Схеми на МДН транзисторах складають на сьогодні значну частину
виробів , що випускаються електронною промисловістю . На їх основі
будується більшість інтегральних схем (ІС) з великим ступенем інтеграції
(ВІС) і надвеликим ступенем (НВІС). Схеми на МОН-транзисторах займають
домінуюче положення при створенні таких функціонально закінчених виробів,
як постійні і оперативні запам’ятовуючі пристрої , мікроконтролери ,
мікропроцесори та інші.
Опис
Ключові слова
6.040203 Фізика, радіаційна стійкість, опромінення, радіаційні дефекти, деградаційні процеси, рентген
Бібліографічний опис
Ковалюк, С. В. Вплив рентгенівського опромінення на електрофізичні властивості структур метал-діелектрик-напівпровідник = Effect of X-ray irradiation on the electrical properties of the structures metal-insulator- semiconductor : дипломна робота бакалавра / С. В. Ковалюк ; наук. кер. В. І. Солошенко ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 35 с.