The oxide structures formation on the surface of tungsten

dc.contributor.authorOrlovska, Svitlana G.en
dc.contributor.authorLysianska, Mariia V.en
dc.contributor.authorОрловская, Светлана Георгиевнаru
dc.contributor.authorЛисянская, Мария Владимировнаru
dc.contributor.authorОрловська, Світлана Георгіївнаuk
dc.contributor.authorЛисянська, Марія Володимирівнаuk
dc.date.accessioned2018-12-18T13:39:26Z
dc.date.available2018-12-18T13:39:26Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractThe temperature regimes and the kinetics of the formation of tungsten oxide crystals on the surface of a tungsten conductor heated by an electric current in air were studied, as well as the fractal dimension of branched oxide formations. It was shown that at the temperature higher than 1100 K, separate formations were observed on the surface of the conductor. These were nuclei of tungsten oxide crystals, which over time grew into branchy formations. The fractal dimension of the structures obtained at different stages of growth was calculated using the principle of object coverage. It was determined that at the initial stage, the growth of crystals proceeds according to the mechanism of the Brownian motion “cluster-cluster”, then along the Brownian motion “particle-cluster”. en
dc.description.abstractВ работе изучаются температурные режимы и кинетика образования кристаллов оксида вольфрама на поверхности вольфрамового проводника, нагреваемого электрическим током в воздухе, а также проводятся исследования фрактальной размерности разветвленных оксидных образований. Показано, что при температуре больше 1100К на поверхности проводника наблюдалось появление отдельных образований – зародышей кристаллов оксида вольфрама, которые с течением времени разрастались в ветвистые образования. Проведен расчет фрактальной размерности полученных структур на различных этапах роста по принципу покрытия объекта. Определено, что на начальном этапе рост кристаллов идет по механизму броуновского движения «кластер-кластер», затем по механизму «частица-кластер». ru
dc.description.abstractВ роботі вивчаються температурні режими і кінетика утворення кристалів оксиду вольфраму на поверхні вольфрамового дротика, що нагрівається електричним струмом в повітрі, а також дослідження фрактальної розмірності розгалужених оксидних утворень. Показано, що при температурі більше 1100К на поверхні провідника спостерігалася поява окремих утворень - зародків кристалів оксиду вольфраму, які з плином часу розросталися в гіллясті структури. Проведено розрахунок фрактальної розмірності отриманих структур на різних етапах росту за принципом покриття об'єкта. Визначено, що на початковому етапі зростання кристалів йде за механізмом броунівського руху «кластер-кластер», потім за механізмом «частинка-кластер».uk
dc.identifier.citationOrlovskaya S. G. The oxide structures formation on the surface of tungsten / S. G. Orlovskaya, M. V. Liseanskaia // Фізика аеродисперсних систем. – 2018. – Вип. 55. – С. 54–58.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.18524/0367-1631.2018.55.149896
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/20651
dc.language.isoen
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subjectoxide structures formationen
dc.subjecttungsten oxide crystalsen
dc.subjecttungsten conductoren
dc.subjectbranched oxide formationsuk
dc.subjectобразование оксидных структурru
dc.subjectкристаллы оксида вольфрамаru
dc.subjectвольфрамовый проводникru
dc.subjectутворення оксидних структурuk
dc.subjectкристали оксиду вольфрамуuk
dc.subjectвольфрамовий дротикuk
dc.subject.udc536.46
dc.titleThe oxide structures formation on the surface of tungstenen
dc.title.alternativeОбразование оксидных структур на поверхности вольфрамаru
dc.title.alternativeУтворення оксидних структур на поверхні вольфрамуuk
dc.typeArticleen
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
54-58.pdf
Розмір:
444.41 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: